MgB2薄膜相关论文
超导薄膜制成的滤波器具有低插损，高带外抑制等优点，在移动和卫星通信系统中得到越来越广泛的应用。MgB2薄膜在低于39K时表现出超导......
自2001年秋光纯教授发现MgB2的超导性之后,超导科学迈入了一个崭新的时代。MgB2材料廉价,分布广泛,不存在弱连接,具有39K临界转变......
简单金属间化合物MgB2自2001年起超导电性被发现至今,引起了世界各国科学家对其组织结构、超导原理、制备方法及应用前景的广泛兴......
报道了利用电子束蒸发的Mg/B多层膜作为前驱体,然后退火制备MgB2薄膜的工作.实验中发现,采用翻转膜面的退火处理方式可以有效地避......
本本文报道了基于混合物理化学气相沉积方法制备高质量干净极限MgB2薄膜和碳掺杂MgB2薄膜的最新结果.c轴外延干净的MgB2薄膜具有高......
测量了不同温度下，外场分别平行于样品ab面和平行于c轴两种情况下的MH磁滞回线和I-V特性曲线，从磁测量和传输测量计算出临界电流密度......
用热丝化学气相沉积法（HFCVD）在蓝宝石基片上原位制备了MgB2超导薄膜，并用XRD、SEM和dc SQUIDs研究了基片温度和时间对薄膜相组成、表......
具有39K超导转变温度的MgB2发现以后,引起了科学界的极大关注,其原因不仅是因为这种化合物具有比较简单的二元金属间化合物特性,而......
MgB2超导体是近年来材料界关注的焦点,长期从事超导材料研究的刘春芳教授就近期国内外MgB2的研究进展状况做了以下重点报道。......
采用平面波赝势方法计算了MgB2超导薄膜的电子结构．结果发现，表面层B（S）在费米能级处的态密度显著增强．在线性响应的密度泛函微扰理论框......
制备高质量的MgB2薄膜是实现MgB2超导电子器件应用的前提和基础．我们用电子束蒸发B膜和Mg/B多层膜为前驱然后后退火的方法，分别在高......
我们用混合物理化学气相沉积（Hybrid physical-chemical vapor deposition简称为HPCVD）法在α-Al2O3（001）衬底上原位制备了一批超导性......
用混合物理化学气相沉积（Hybrid physical-chemical vapor deposition简称为HPCVD）法在Mg衬底上原位制备出MgB2超导薄膜样品。超导起......
本文用混合物理化学气相沉积(HybridPhysical-ChemicalVaporDeposition简称为HPCVD)法在Al2O3(00l)衬底上原位制备了MgB2超导薄膜......
文章介绍了利用脉冲激光沉积(PLD)方法原位生长MgB2超导薄膜的工作.实验采用两步法的方案:高真空条件下在Al2O3(001)衬底上沉积Mg-......
高温超导体因其优异的载流能力和较高的临界磁场,使其一经发现就受到了广泛的关注,并且在医疗技术及核聚变装置等领域具有广阔的应......
采用芘粉(C16H10)作为掺杂物,利用化学气相沉积法,制备了不同掺杂量的MgB2超导薄膜。通过X射线衍射仪、扫描电镜和综合物性测量系......
2001年发现了MgB2的超导电性,其超导转变温度超过39K,接近BCS超导体的极限。MgB2具有成本低廉、结构简单、晶界间不存在弱连接、较......
采用射频磁控溅射方法，在Si＼MgO衬底上制备了MgB2薄膜，通过X射线衍射图分析了不同退火温度对薄膜结构性质的影响；用直流四探针法对其阻......
