MgZnO薄膜相关论文
本文采用脉冲激光沉积法（PLD）在石英及SiO2/Si衬底上生长了 MgZnO薄膜,研究了不同Mg含量靶材、衬底温度、氧气压强以及氧气流量等对......
采用射频磁控溅射的方法在硅衬底上生长出高质量的MgZnO薄膜.用X射线(XRD)、原子力显微镜(AFM)分别研究了在200、400、600和800℃......
用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了Mg0.1Zn0.9O:Al薄膜,衬底温度由30℃变化到230℃.X射线衍射结果表明Mg0.1Zn0.9O:Al薄膜为单相......
对Mg 含量不同的两种靶材，利用激光分子束外延设备生长了相应的MgZnO 薄膜。透过率曲线测试显示生长的样品出现两个光学吸收边, 这......
近些年来,宽带隙半导体材料及其日盲紫外探测器成为深紫外光电子领域的研究热点。与其他用于日盲紫外探测器的材料,如AlGaN,SiC,Ti......
利用KrF准分子激光,在室温下对PLD法制备的MgZnO薄膜进行激光退火处理,研究了激光能量密度为50~167 mJ/cm~2时对薄膜结晶性能的影......
本文利用反应磁控溅射方法在晶格匹配的ZnO衬底上外延生长出单一六方相的Mg0.49Zn0.51O薄膜,并制备了金属-半导体-金属结构的......
ZnO是一种直接带隙的半导体材料，室温下能隙宽度为3.37 eV，激子束缚能高达60 meV。自从日本和香港的科学家在1997年首次实现了室温光......
日盲紫外辐射由于大气层中臭氧的强烈吸收,在近地大气中几乎不存在。在这样的环境背景下,对该波段的紫外辐射进行探测或者成像,由......
本研究用 ZnO陶瓷靶、Mg金属靶，采用直流和射频共同溅射的方法制备MgxZn1-xO薄膜。制备出不同Mg含量、不同衬底、不同生长温度的Mgx......
用KrF准分子脉冲激光沉积(PLD)法,以石英为衬底,在300℃～600℃制备了MgZnO薄膜。由拉曼光谱仪、AFM、UV/vis分光光度计对薄膜进行表......
室温下通过磁控溅射的方式在热氧化SiO2的衬底上沉积MgZnO薄膜,研究Mg元素的少量掺杂对薄膜以及器件性能的影响,使用湿法刻蚀的方......
利用磁控溅射技术,以Mg0.06Zn0.94O为陶瓷靶材,制备了N掺杂p型Mg0.1 3Zn0.8 7O薄膜,薄膜的电阻率为42.45Ω·cm,载流子浓度为3......
利用磁控溅射设备,Mg0.04Zn0.96O陶瓷靶材,以高纯的氮气与氩气混合气体作为溅射气体,在石英衬底上沉积获得了N掺杂p型Mg0.07Zn0.93......
利用MOCVD在蓝宝石衬底上，通过低温生长实现了立方结构、吸收边在255nm的Mg0.52Zn0.48O合金薄膜，并采用传统湿法刻蚀的方法在薄膜上......
用PLD法成功制备了一系列高质量的MgZnO薄膜。实验中发现高脉冲能量沉积薄膜的结构和发光特性随基片温度的变化规律与低脉冲能量下......
ZnO是优异的紫外发光和激光材料,氮被认为是p型ZnO和MgZnO的理想受主掺杂剂,但在较低生长温度下氮的掺入会显著破坏晶格完整性,使......
采用射频磁控溅射技术,用氮气作为掺杂源,在石英基片上生长N掺杂MgxZn1-xO薄膜,并将薄膜分别在550,600,650,700℃真空中进行热退火......
p型MgZnO的制备一直是高效紫外发光和日盲紫外探测器件研究领域的重要课题之一。本文针对N掺杂p型MgZnO薄膜材料中存在的空穴浓度......
采用激光脉冲沉积法（PLD）在石英玻璃上成功制备了一系列MgZnO薄膜。并通过选用高Mg含量的靶材，成功将薄膜的吸收边调节至极紫外区域（20......
使用准分子脉冲激光沉积（PLD）方法在Si（100）基片上制备了高度c轴取向的MgZnO薄膜。分别使用SEM、XRD、XPS、PL谱和吸收谱表征了薄膜的......
MgZnO半导体材料因具有较宽的光学带隙调节范围（3.3 eV7.8 eV）、晶格匹配的单晶衬底、较低的制备温度、资源丰富、较强的抗辐射能力,......
选用Mg0.2Zn0.8O陶瓷靶,利用脉冲激光沉积(PLD)法,在单晶Si(100)和石英衬底上生长了一系列MgZnO薄膜(MZO)。通过X射线衍射(XRD)、......
ZnO作为一种宽禁带半导体材料,其激子束缚能高达60meV,是一种可用于室温或更高温度下的紫外发光材料,已成为继GaN之后宽禁带半导体......
近几年来，宽禁带半导体材料引起人们的关注，因为这些材料在蓝光及紫外光发光二极管、半导体激光器和紫外光探测器上有重要的应用价值......
利用射频磁控溅射技术,高纯的氩气作为溅射气体,分别选用不同Mg含量的MgxZn1-xO陶瓷靶材,在石英衬底上生长六角纤锌矿结构的MgxZn1......
利用射频磁控溅射技术,在相同流量的氮气、氩气混合气体条件下,在石英基片上溅射获得了不同Mg含量的N掺杂MgxZn1-xO薄膜,并研究了M......
ZnO基半导体材料具有缺陷密度低，抗辐射能力强，环境友好等诸多优点，且可通过Mg的掺入使其禁带宽度从3.3eV到7.8eV连续可调，被认为是制......
本论文主要包括两部分:一、利用激光脉冲沉积(PLD)法制备MgZnO薄膜并分析其结晶、光学特性等,并利用微纳加工法实现了紫外探测器原......
考虑ZnO优秀的物理和化学性能以及由于生长温度低而具有更低的缺陷密度从而易于实现高的光电器件效率等特点，本文采用射频磁控溅射......
