ZnO是一种直接带隙、宽禁带半导体材料。室温下禁带宽度为3.37eV,激子束缚能为60meV,具有在近紫外发光、光学透明性、电子传导、压......

报道了利用等离子辅助分子束外延技术 ,在蓝宝石 c平面上外延生长的 Mgx Zn1 - x O单晶薄膜以及 Mg Zn O/Zn O异质结构的光学性质 ......

利用等离子辅助分子束外延(P-MBE)技术,在蓝宝石c-平面上外延生长了MgxZn1-xO(0≤x≤0.65)合金薄膜,其x值分别为0,0.11,0.28,0.44,......

利用金属有机化学气相沉积（MOCVD）法在蓝宝石（1120）衬底上生长高质量的MgxZn1-xO合金薄膜，实验研究了各种不同Mg组分对样品光学性能的影......

采用不同氮分压（RN2）的氩气和氮气混和气体溅射Mg0．18Zn0.82O合金靶材，在石英衬底上生长了MgxZn1-xO（MgZnO）合金薄膜，研究了氮分压对薄膜......

报道了利用等离子辅助分子束外延技术，在蓝宝石c平面上外延生长的MgxZn1-xO单晶薄膜以及MgZnO／ZnO异质结构的光学性质．室温下随着Mg浓......

本论文利用射频磁控溅射方法,以MgZnO为靶材,高纯Ar/N2为溅射气体,在石英衬底上生长MgxZn1-xO薄膜。通过改变氮分压和衬底温度,控......

ZnO是一种重要的半导体材料,在现实生活和科学研究领域都有很重要的应用。由于ZnO的禁带宽度为3.3eV,室温下的激子束缚能为60meV,......