反射式高能电子衍射相关论文
本论文概述了超晶格广阔的应用前景,并阐述了BaTiO3/SrTiO3超晶格材料的特点与其研究的重要性。在试验过程中,使用激光分子束外延......
氧化锌(ZnO)是一种多功能的Ⅱ-Ⅵ族宽带隙半导体材料。由于在短波长光电器件方面拥有巨大的潜在应用价值,近十年来,在全世界范围内......
本文通过在GaAs(100)单晶衬底上MBE生长GaAs过程中形成的RHEED衍射图样,对GaAs薄膜的表面形貌进行研究。分析GaAs表面粗糙和生长时......
使用激光分子束外延 ,在SrTiO3 ( 1 0 0 )单晶衬底上成功生长了一系列c轴取向的 ,具有原子量级控制精度的BaTiO3 /SrTiO3 超晶格 .......
报道了利用等离子辅助分子束外延技术 ,在蓝宝石 c平面上外延生长的 Mgx Zn1 - x O单晶薄膜以及 Mg Zn O/Zn O异质结构的光学性质 ......
采用激光分子束外延方法(L-MBE),在GaAs(001)衬底上同质外延GaAs薄膜。利用反射式高能电子衍射(RHEED)研究了材料沉积过程中的各级......
以在UHV/MBE-STM联合系统上生长的19 ML的InGaAs/GaAs样品为研究对象,先在GaAs(001)衬底上外延生长0.37μm的GaAs缓冲层,再外延生......
采用激光脉冲分子束外延技术,在(100)取向SrTiO3或Nb:SrTiO3单晶基片上成功外延生长不同结构的LaAlO3/BaTiO3超晶格.利用高能电子......
利用反射式高能电子衍射(RHEED)在超高真空中对SrTiO3(100)、LaAlO3(100)、Si(100)单晶基片进行分析,讨论了衍射花样与晶体表面结......
用脉冲激光沉积法在Si(111)衬底上制备了ZnO薄膜.RHEED和XRD测试表明,直接沉积在Si衬底上的ZnO薄膜为多晶薄膜,且薄膜的结晶质量随......
对用于分子束外延（MBE）中的反射式高能电子衍射仪（RHEED）的工作原理以及RHEED衍射强度振荡在测量外延生长速率的应用进行了详尽的阐述；......
主要分析了不同溴甲醇溶液腐蚀方法对分子束外延用碲锌镉(211)B衬底表面粗糙度及反射式高能电子衍射(RHEED)图样的影响。实验发现......
在超高真空下利用激光分子束外延(LMBE)方法基于SrTiO3(100)单晶基片同质外延SrTiO3薄膜.通过反射式高能电子衍射(RHEED)对生长过......
反射式高能电子衍射是一种对薄膜表面结构非常敏感的实时监测手段,通过对衍射花样的研究可以获得诸多有益的信息,将其引入薄膜制备......
介绍了利用反射式高能电子衍射（RHEED）方法在自组装InAs量子点制备过程中进行结构分析的理论研究与实验工作的最新进展。从反射式高......
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在蓝宝石C面上利用激光分子束外延(L-MBE)的方法,分别在250、300、350、400和450℃下生长了高度C轴取向的ZnO薄膜,并对样品进行了X......
采用电子回旋共振（ECR）氢等离子体对n型4H-SiC（0001）表面进行处理,并利用原位高能电子衍射（RHEED）对处理过程进行实时监控。在200°C......
本文利用反射式高能电子衍射（RHEED）、高分辨透射电镜和选区电子衍射方法,系统研究了Si（111）衬底上制备高质量氧化锌单晶薄膜的界面控......
用激光分子束外延技术在SrTiO3(001)衬底上外延生长SrTiO3/BaTiO3多层膜,通过反射式高能电子衍射(RHEED)原位实时监测并结合原子力......
采用脉冲激光沉积工艺在不同条件下以Si（111）为衬底制备了ZnO薄膜。通过对不同氧压下（0～50Pa）沉积的样品的室温PL谱测试表明，氧气氛显著......
在60Pa的高氧压气氛中，用脉冲激光沉积法以Si（111）为衬底在不同温度下制备了ZnO薄膜。RHEED和XRD结果表明，所有样品都是c轴高度择优取......
氧化镁（MgO）薄膜具有很多优良的物理化学性质,是一种非常好的缓冲层和介电保护层,在微电子器件领域存在巨大的应用潜力,因此受到众多......
由于GaAs(111)B材料具有强压电效应、高发光效率等材料特性,可以制备高性能器件,因此近年来吸引了器件应用和基础研究等方面工作者......
