N极性GaN材料借助与传统Ga极性GaN极性相反这一特征,以低接触电阻、高2DEG限阈性,在高频、大功率微波晶体管、增强型器件及传感器......

建立了氮极性（N-polar）GaN基HEMT器件的准二维（Quasi-2-D）电荷传输模型，仿真研究了N-polar GaN基HEMT的直流特性。仿真结果表明，不同的极......

氮极性(N-polar)GaN/AlGaN异质结材料与器件借助与传统镓极性(Ga-polar)AlGaN/GaN异质结材料与器件极性相反这一特征,以低接触电阻......

Ⅲ族氮化物具有优异的光学与电学性质,现已经广泛应用于发光二极管(LEDs)、激光器、光电探测器和大功率电子器件中。通常金属极性......

近年来,GaN材料以其优良的光电性能,一直是半导体材料领域的研究热点,并且在固态照明领域具有诱人的应用前景。目前多数商业化的Ga......

在Si衬底GaN基垂直结构LED的N极性n型面上,利用电子束蒸发的方法制作了Ti/Al电极,通过了I-V曲线研究了有无AlN缓冲层对这种芯片欧......

通过自洽求解薛定谔方程和泊松方程,较系统地研究了GaN沟道层、AlGaN背势垒层、Si掺杂和AlN插入层对N极性GaN/AlGaN异质结中二维电......