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本文主要介绍了热退火对Mg掺杂的A10.25Ga0.75N的影响。我们研究了不同的退火温度对表面形貌,材料质量以及电性能的影响,并且在室......
文章主要研究利用金属有机物化学汽相沉积(MOCVD)方法制备的Mg掺杂A lGaN薄膜。根据Raman光谱对Mg掺杂A lGaN薄膜应力和X射线摇摆......
采用金属有机化学气相沉积技术生长了GaN基多量子阱(MQW)蓝光发光二极管外延片,并采用高分辨率X射线衍射仪(HRXRD)和光致光谱仪(PL......
文章主要研究利用金属有机物化学汽相沉积（MOCVD）方法制备的Mg掺杂AlGaN薄膜。根据Raman光谱对Mg掺杂AlGaN薄膜应力和X射线摇摆曲线......
本文应用MOCVD生长方法进行了Mgδ掺杂AlGaN材料的生长,并对生长之后的样品进行结晶质量、表面形貌、电学性能、杂质原子浓度分布......
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Ⅲ-N化合物由于其禁带宽度大,高饱和电子漂移速度等优异的性能已经成为了最受人关注的化合物半导体体系之一。与氮化镓（GaN）和氮化铟......
