空穴浓度相关论文
在石油、煤炭等传统能源消耗量急剧增长的今天,具有可再生和利用成本低等优点的太阳能成了一个热点.随着新型太阳能电池一薄膜太阳......
应用半导体光电探测器中的非线性输运理论，给出了激光与探测器相互作用的一般公式。数值计算结果表明，在一定强度的激光作用下，系统出......
本文用解析的方法研究了应变P型Si_(1-x)Gex层中载流子冻析现象．研究发现，用Si归一化的Si(1-x)Gex价带有效态密度，随x的增加而减小，而......
我们实验研究了(110)-GaAs量子阱中光生载流子对电子自旋弛豫的影响。通过测量量子阱的荧光寿命和光学吸收计算,我们能得到不同泵......
利用铟(In)表面活性剂辅助Mg-δ掺杂技术和金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,在r面蓝宝石衬底上成功生长了高空穴浓度的非极性a面p......
本文利用密度泛函理论，来研究由Li共掺杂的2×2×2和3×3×3（Zn,Mn)Se稀磁半导体的铁磁性机制。从不同结构的铁磁能可以看到，掺杂原子......
通过对p型量子阱红外探测器(QWIP)的自洽计算,得到了量子阱价带的电子结构和器件的光电流谱,并研究了载流子在动量空间分布对p型QW......
期刊
报道了磁性半导体材料GaMnAs的拉曼光谱,发现其空穴等离子体激元与LO声子振动耦合形成的CPLP模具有类LO模的偏振特性.随着Mn组分的......
期刊
通过傅里叶变换红外光谱和光调制反射光谱技术测量了不同Mn含量的低温分子束外延生长在GaAs衬底上的GaMnAs样品的反射光谱.在低于G......
以吸附在金属铜基底上的外延石墨烯为例，研究了空穴浓度随温度的变化，探讨了空穴浓度和基底以及温度对金属基外延石墨烯态密度的影响......
研究了离子注入对金属有机化学气相淀积法生长的Mg掺杂GaN性质的影响.样品在800℃退火1小时后,我们获得了空穴浓度达8.28×101......
研究了锂（Li）掺杂二氧化钛（TiO2）作为空/燃比控制用厚膜敏感材料的响应特性。X射线衍射分析表明：适量掺杂能保持TiO2厚膜的金红石结构,......
高温超导材料因其在高能物理、高载流输电、强磁场等现代高新科学和技术领域表现出的卓越性能,得到了广泛关注并逐渐进入商业化应......
在4H-SiC中进行Al离子注入,并进行了二次高温退火技术研究。样品中Al离子的注入浓度为3×10^19cm-3,对样品进行首次高温退火工......
由于非极性AlGaN基Ⅲ族氮化物中无沿材料生长方向的量子限制斯塔克效应（QCSE）,故其被认为是制备紫外发光二极管（UV-LEDs）深具潜力的材......
近年来,CdTe薄膜太阳电池展现出了广阔的市场应用前景。然而,现今CdTe薄膜太阳电池的转换效率和其理论极限之间仍然存在着巨大差距......
ZnO是一种具有纤锌矿晶体结构的直接宽带隙半导体材料。ZnO薄膜室温光泵浦紫外激射的实现和自形成谐振腔的发现,使ZnO薄膜成为继Ga......
ZnO是一种多用途的半导体材料。传统上，被广泛应用于声表面波器件（SAW），体声波器件（BAW），气敏元件，变阻器，透明电极等。和GaN相比，ZnO的缺陷......
宽禁带半导体GaN是制造蓝光光电器件和大功率、高温器件的理想材料。由于Si衬底的诸多优点：低价、存在高质量大尺寸单晶、好的热导......
静电感应晶闸管(SITH)是一种大功率开关器件。与其他种类的功率开关器件相比,具有开关速度快,易于实现栅控关断等优点。但在实际应......
ZnO是一种新型的Ⅱ—Ⅵ族宽禁带半导体材料,具有许多优异的性能。但由于晶体中存在诸多本征施主缺陷（如氧空位Vo和间隙锌Zni）,对受主......
