蓝光发光二极管相关论文
半导体量子点（quantum dots,QDs）因其独特的尺寸依赖性、溶液可加工性、荧光量子产率（photoluminescence quantum yield,PL QY）高、光......
针对激光二极管(LD)光源光束窄、发散角小、出光功率受阻和对准困难等问题,提出了一种基于商业蓝光发光二极管(LED)的深海高速无线......
报道了用有机染料ＴＰＢ（１，ｌ，４，４－四苯基丁二烯）分散到ＰＶＫ（聚乙烯基咔唑）中的掺杂聚合物作有源层制作的蓝光发光二极管及其发光特性。聚合物发光层用旋转......
由青岛杰生电气有限公司承担的国家863半导体照明工程重点项目“氮化镓-MOCVD深紫外LED材料生长设备”研制取得突破,我国首台具有......
对GaN基大功率蓝光发光二极管(LED)分别施加了-200,-400,-600,-800,-1100和-1500 V的反向人体模式静电打击,每次静电打击后,测量样......
市面上一般有三种材料可作为衬底:蓝宝石(A12O3)、硅(Si)、碳化硅(Sic)。其中蓝宝石是使用最多的衬底材料,具有生产技术成熟、器件......
利用方波脉冲调制和正弦波调制方法对自生长台阶形的蓝光发光二极管（LED）进行脉冲响应特性及调制带宽的测量分析；并利用APSYS软件计算......
不再涉及希格斯玻色子、宇宙加速膨胀或者其他高深的量子物理理论，今年的诺贝尔物理学奖颁给了一种更容易理解并且非常实用的工业技......
<正>第三代半导体材料将掀起一场怎样的技术革命?我国布局第三代半导体产业将会遇到什么问题?有独到见解和实际工作经验的中国工程......
根据红外测温原理、薄膜等厚干涉模型及相关光学参数,在Al2O3、SiC、Si三种衬底上用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术制备10μm ......
随着用电量的激增,人们对电能的需求越来越大,LED因节能、耐用和环保而成为人们重点研究的节能产品。白光LED通常是由蓝光LED结合......
ZnO是一种宽禁带半导体材料,在紫外及紫蓝光发光二极管(LED)、激光二极管(LD)等光电器件方面具有很大的潜在应用前景.近年来,纳米Z......
报道了封装大芯片InGaN/GaN蓝光发光二极管(LED)的实验结果.在室温下,正向电压为3.3V和电流为350mA时,其轴向亮度为16×104cd/......
新生儿高胆红素血症是新生儿最常见的疾病之一,约有60%新生儿可出现不同程度的黄疸[1]。34.4%的新生儿出现高胆红素血症,甚至引起......
<正>The practical application of semiconductor-based high-efficiency white-light sources,also known as light-emitting di......
目的:探讨蓝光发光二极管(LEDs)光疗效应.方法:在光强度仪检测下,调节LEDs与普通蓝光灯的光强度使两者相同,然后,将两组光源照射胆......
以商用蓝光发光二极管（LED）为可见光光源,十二烷基-S＇-（α,α＇-二甲基-α″-乙酸）三硫代碳酸酯（DDMAT）为可逆加成-断裂链转移聚合（RAFT）试剂,......
报道了封装大芯片InGaN/GaN蓝光发光二极管(LED)的实验结果.在室温下,正向电压为3.3V和电流为350mA时,其轴向亮度为16×10......
2014年10月7日,瑞典皇家科学院宣布了2014年诺贝尔物理学奖的得主。日本物理学家赤崎勇(Isamu Akasaki)、天野浩(Hiroshi Amano)和......
利用交流(a.c.)小信号法对GaN蓝光发光二极管(LEDs)的电容-电压特性进行了研究,观察到了GaN蓝光LEDs中的负电容现象,并且测试频率......
碳化硅（ＳｉＣ）是目前主要的蓝光半导体材料之一，国际上已初步实现了ＳｉＣ蓝光发光二极管的产业化。目前商品器件工作电压３．０Ｖ，工作电流２０ｍＡ时，发射波长４７０ｎｍ，功率......
对不同温度(120~363 K)下InGaN/GaN多量子阱(MQW)结构蓝光发光二极管(LED)的电学特性进行了测试与深入的研究。发现对数坐标下I-V......
本文从半导体科学技术研究与诺贝尔物理学奖的渊源出发,详细解读了2014年诺贝尔物理学奖成果"高效Ga N基蓝光发光二极管"的研究背......
