生长技术相关论文
加拿大的研究人员首次制造出了能同时发射1543nm和1571nm双波长激光的InP基量子点自锁模激光器。传统锁模方法需要分成双区器件，一......
据《科技日报》2007年5月1日报道,一块月饼大小,硬度仅次于金刚石的灰色的晶体块。这是晶体材料国家重点实验室刚刚出炉的3英寸碳......
理论和实验研究表明,在一定的应变和掺杂浓度下,Si基外延Ge薄膜能实现1.55μm光通信波段的直接带隙发光。讨论了Si基外延Ge材料的......
传统的立体光固化成型(SLA)技术采用逐层固化的方式构造三维物体,存在系统复杂、打印速度慢、难以规模化应用等问题。2015年3月,《......
铌酸钾锂（ＫＬＮ）晶体是一种能对近红外半导体激光进行倍频获得蓝光输出的非线性光学晶体，是人们感兴趣的一种非线性光学材料［１］。曾用多种生长......
小分子纳米材料独特新颖的性能使其在未来低廉高效的新型纳米光电器件等方面有着极大的潜在应用价值，因而激起研究者的极大兴趣。在......
随着信息技术的发展，硅材料成为电子工业中主要的半导体材料，特别是市场对高质量大直径硅的需求量不断的增大，这就要求工业生产中提高......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
铌酸锂(LiNbO3,LN)是一种优良的多功能晶体材料,具有良好的压电性能、非线性光学性能、电光及光折变性能等.目前国内外铌酸锂单晶......
水果黄瓜又名无刺小黄瓜．葫芦科一年生草本蔓生攀缘植物，瓜长10～15cm，适于生食，肉质脆嫩，甘甜多汁，颜色翠绿，含较多维生素和矿物质，较耐贮藏......
自畜禽养殖规模化生产以来，营养性铜源被动物营养师们当做不可或缺的饲料原料运用于配方中。随着高铜促生长技术在猪料中的使用，养殖......
近年来,随着晶体生长技术的发展,GaN基材料的生长技术与生长工艺取得了重大突破。基于NEA的GaN紫外光电阴极是非常理想的新型紫外......
Sn量子点可用于制作单电子器件、高密度存储单元、红外探测器以及发射器等，具有重要的研究意义。介绍了离子注入、分子束外延、磁控......
西山区2013年定位山药浅生长配套技术试验、示范项目，在区科信局、区农林局的直接领导下，团结街道办事处朵亩、蔡家、谷律、永靖、龙......
近年来，出口大蒜生产中遇到了新问题，这就是大蒜的二次生长。这种现象在金乡县普遍发生，严重影响了蒜薹和蒜头的产量及质量。研究大蒜......
本文综述了近年来KDP和DKDP晶体生长的研究状况。为了生长大尺寸高质量的KDP和DKDP晶体，在传统溶液降温法的基础之上，研究者发明了循......
现代科学技术的发展越来越强调学科之间的交叉和融合。光学作为物理学中一个古老的分支，与21世纪先进的纳米微加工技术和材料生长技......
赵有文，1999年获得博士学位。2000～2002年在中国科学院半导体研究所完成博士后研究工作。目前主要从事磷化铟、锑化镓、砷化镓等Ⅲ-......
回顾了近年关于KDP晶体材料的研究成果，对KDP晶体的不同生长技术、晶体中散射颗粒形成的原因以及晶体的光透过谱进行了介绍，特别对影......
利用一种特有的半导体生长技术可以制造出具有宽光谱范围的高灵敏度探测器阵列。碲镉汞（HgCdTe）是一种经常用于探测红外辐射的半导体......
概括了宽带隙半导体材料碳化硅的主要特性及生长方法,介绍了其在微电子及光电子领域的应用,并对其发展动态及存在问题进行了简要评......
材料体系及其制备技术是新材料研究中的两个重要内容.从无铅压电陶瓷的粉体制备和晶粒定向生长两方面介绍了无铅压电陶瓷的制备技......
1我国小麦良种繁育技术的种类及特点我国小麦良种繁育的技术体系概括起来有三大类六种,一类是以循环选择技术路线为标志的三圃制和......
铅基弛豫铁电单晶体由于其优异的压电性能在机电换能领域具有广泛的应用前景.介绍了铅基弛豫铁电单晶体生长技术的研究进展,比较了......
<正> 随着大功率电子、光电子、微波器件以及超大规模IC技术的飞速发展,急需新的热沉材料,用高导热高绝缘金刚石膜代替目前常用的......
ZnO是一种新型的I-Ⅵ族半导体材料,目前已研究开发了许多ZnO薄膜的生长技术.其中,磁控溅射、喷雾热分解、分子束外延、激光脉冲沉......
PbI2单晶体是性能优异的室温半导体核辐射探测器新材料。主要介绍了PbI2晶体生长技术及其室温核辐射探测器研究发展的最新动态，综述......
摘要：文章首先对稀土微肥林用的效果进行分析，分别从促进苗木生长与种植萌芽两方面来进行。其次重点探讨稀土微肥在林业生长阶段的全......
GaN材料是制造LED应用最为广泛的材料之一。本文概述了GaN材料的主要生长技术,比较了他们的原理和优缺点,并对今后的发展做了展望......
无机闪烁晶体在我国的发展已经历时六十个春秋,一个又一个闪烁晶体材料被成功开发并作为产品走向国内外市场,如碘化钠、碘化铯、BG......
近年来,宽带隙半导体 GaN、SiC、ZnO,弛豫铁电体PZNT,热电半导体β-FeSi2,超导体MgB2等功能晶体材料引起了人们的广泛关注。这些材......
ZnO是一种新型的 - 族半导体材料。该文介绍了ZnO薄膜的晶格、光学以及电学特性,对其生长技术和开发应用等方面的进展也作了综述,......
本文结合国家科学基金重大项目“半导体超晶格和微结构”的一部分研究工作（超晶格材料的生长技术，量子阶，超晶格的光学声子模，能带类型......
随着我国材料制造业的不断发展,近些年来出现了采用多种宽带隙半导体、弛豫铁电体以及超导体为材料的功能晶体,在诸多领域当中都得......
ZnSe是一种优秀的红外窗口材料,得到广泛的关注。在本文叙述了ZnSe红外窗口材料的光学特性和力学特性,以及详细地描述ZnSe体单晶熔......
我国第一套蒸气压控制直拉法(VCZ法)晶体生长系统和工艺技术,成功控制出国内第一根直径4英寸VCZ半绝缘砷化镓单晶,使我国成为继日......
当前，硅材料在半导体领域和太阳能领域仍然占据着主要地位。随着科技的发展和技术的进步，集成电路和太阳能电池生产工艺都对硅材料提......
