SOI材料以及SOI器件及有良好的抗单粒子效应和瞬间辐射的能力，但绝缘埋层的存在使得其抗总剂量能力受到限制。在埋层中注入硅离子被......

由于SOI材料中绝缘埋层（BOX）的存在，SOI器件抗总剂量辐照效应的能力受到限制。针对该问题，为提高常规SIMOX SOI材料的抗总剂量水平，本论......

在先进CMOS ICs工艺中，与传统体硅技术相比，绝缘体上的硅(Silicon-on-Insulator, SOI)技术具有得天独厚的优势，诸如高速、低功耗、高......

近年来，SOI技术由于其独特的优越性，被广泛应用于空间及军事抗辐射领域。但SOI中绝缘埋层(BOX)的存在，使SOI材料抗总剂量辐照效应的能......