Pseudo-MOS相关论文
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
为了提高SIMOX SOI材料抗总剂量辐照的能力,采用硅注入绝缘埋层后退火得到改性的SIMOX SOI材料.辐照前后,用pseudo-MOSFET方法测试样......
SOI材料以及SOI器件及有良好的抗单粒子效应和瞬间辐射的能力,但绝缘埋层的存在使得其抗总剂量能力受到限制。在埋层中注入硅离子被......
由于SOI材料中绝缘埋层(BOX)的存在,SOI器件抗总剂量辐照效应的能力受到限制。针对该问题,为提高常规SIMOX SOI材料的抗总剂量水平,本论......
在先进CMOS ICs工艺中,与传统体硅技术相比,绝缘体上的硅(Silicon-on-Insulator, SOI)技术具有得天独厚的优势,诸如高速、低功耗、高......
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近年来,SOI技术由于其独特的优越性,被广泛应用于空间及军事抗辐射领域。但SOI中绝缘埋层(BOX)的存在,使SOI材料抗总剂量辐照效应的能......
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