采用电子束蒸发法结合氧化工艺制备得到多晶Zn(O,S)薄膜,在可见光范围内,其平均透射率约为85％,禁带宽度为3.35eV;制备得到结构为gla......

Zn（O,S）薄膜是替代CIGS薄膜电池中的CdS薄膜作为缓冲层材料的有力竞争者之一。作为一种无镉材料,Zn（O,S）薄膜不但没有毒性、环境友好,......

采用磁控共溅射沉积法,以氧化锌和硫化锌为靶材,在不同衬底温度下制备了Zn（O,S）薄膜。采用X射线衍射仪、原子力显微镜、紫外-可见-近......

铜基太阳电池是以含铜的黄铜矿结构化合物或其衍生物为吸收层的太阳电池，如以铜铟镓硒为吸收层的铜铟镓硒（CIGS）薄膜太阳电池。典型的......

通过射频磁控溅射(MS)工艺,在不同溅射功率下制备Zn(O,S)薄膜,并将其应用于CIGS异质结器件结构中。采用XRD、XRF、台阶仪、透反射......

Zn(O,S)薄膜是一种典型的Ⅱ-Ⅵ族宽带隙半导体材料,它的带隙约为2.6eV-3.6 eV。它可以通过调节氧和硫的原子成分来控制自身的禁带......

本文对低温化学浴沉积方法制备的Zn(O,S)薄膜进行了研究,通过XPS、SEM、XRD、拉曼光谱、PL谱、紫外-可见吸收光谱等手段对薄膜的形......

采用SCAPS软件,对CZTS/Zn（0,S）/Al：ZnO结构的薄膜太阳电池进行数值仿真,主要模拟研究Zn（O,S）的禁带宽度和电子亲和势、缓冲层的厚度及掺......