SI(100)相关论文
我们描述一个直接原子的层免职方法种润滑剂钨二硫化物(WS <sub>2</sub>) 电影。WS <sub>2</sub> 电影在 Si (100 ) 底层和一部锌......
做 Fe 的非结晶的 Fe x C1x 小粒的电影在 n-Si (100 ) 上被准备由 d.c 磁控管劈啪作响的底层。Fe x C1x 电影的结构的性质被 X 光......
GaN、InN、AiN等氮化物半导体应用于LED中具有独特的性能。以硅为衬底形成的氮化物半导体因其效率高、耐压性强、环保等特点。在现......
CrN coatings were deposited on Si(100) and piston rings by ion source assisted 40 kHz magnetron sputtering.Structure and......
An ion beam analysis system was established on a 1.7 MV tandem accelerator, enabling Rutherford backscattering(RBS), ela......
本文报道用离子束溅射法在单晶Si(100)衬底上沉积YBaCuO超导薄膜的实验结果。Y稳定ZrO_2层作为衬底和超导膜的中间层,具有良好的扩......
Transport properties and microstructure of La0.7Sr0.3MnO3 nanocrystalline thin films grown by polyme
基于 Perovskite 的材料能广泛地在太空和交通地被使用。Perovskite 锰氧化物 La0.7Sr0.3MnO3 (LSMO ) 薄电影在 LaAlO3 (100 ) 和......
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使用超高真空扫描隧道显微镜(STM)观察了Si(100)面,得到了清洁Si(100)面的STM像。从Chadi模型的形成和表面原子的各向异性扩散分析......
通过磁控溅射沉积、阳极氧化与溶胶-凝胶结合的多步技术在Si（100）表面制备了HA/Al2O3复合生物涂层材料。采用TG-DSC测定了复合涂层中......
复旦大学光科学与工程系的研究人员利用黑硅材料制备出了高效的太阳能电池，其光电转换效率达18．97％，达到了世界同类结构太阳能电池的最......
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运用俄歇电子能谱(AES)、X射线光电子能谱(XPS)以及卢瑟福背散射谱(RBS)研究了Ti/Si(100)样品在快速热退火(RTA)过程中的界面反应......
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Thermal performance of sputtered Cu films containing insoluble Zr and Cr for advanced barrierless Cu
包含不可溶解的物质(Zr 和 Cr ) 的纯 Cu 电影和 Cu 合金电影在 Si (100 ) 底层上被扔，面对界面的本国的低值氧化物(SiOx ) ，由磁控......
一般稀土金属-过渡金属系磁致伸缩材料都有脆和容易氧化等问题。而具有体心立方结构（bcc）的铁系磁致伸缩材料，较之稀土-铁系材料具有......
随着科学技术的发展，微电子半导体器件在材料尺寸和性能上已经接近于极限，研究基于分子尺度的纳米器件已是历史所趋，并成为微纳技术的......
通过溶胶．凝胶法在Si（100）表面制备了钛酸铅薄膜，利用XRD、AFM技术考察了煅烧温度与薄膜表面形貌及结构的关系。结果表明，随着煅烧温度......
用高分辨质量选择的飞行时间谱技术研究所在１９３ｎｍ脉冲激光辐照下自Ｓｉ（１００）表面上硅离子的脱附。发射硅离子动能分布的测量表明，随着激光能量的增......
采用自行设计的微波等离子体化学气相沉积系统,利用铜网作为模板实现了在Si(100)衬底上金刚石膜的选择沉积.用场发射扫描电子显微......
为了研究Sr在Si（100）表面的稳定吸附结构和吸附特性,采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势法,通过改变Sr在Si（100）表面的覆盖度......
现代硅基微芯片加工工艺主要采用自上而下的传统模式,把器件越做越小。根据摩尔定律,当器件尺寸比临界尺寸小时,传统半导体工艺将......
