石墨衬底相关论文
采用化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition,简称CVD）技术在石墨表面沉积高性能金刚石薄膜,对于提高石墨的性能具有重要的意义。本......
采用电子回旋共振等离子体增强金属有机物化学汽相沉积技术在石墨衬底上低温沉积制备出高质量GaN薄膜,采用三甲基镓(TMGa)和氮气(N......
采用接触角测试及扫描隧道显微镜(STM)分析测试了二元化合物[C8-TPP-(ip)Ru(phen)2](ClO4)2在高定向裂解石墨衬底上形成的自组装膜......
石墨衬底上可以沉积出晶体取向性较强的(220)织构的金刚石膜,这种金刚石膜的热导率高、断裂强度大;石墨衬底上沉积金刚石形核致密......
碳化硅(SiC)是新的第三代半导体的典型代表之一,与第一代半导体(Si为代表)、第二代半导体(GaAs为代表)相比较,其具有更高的熔点、......
随着科学技术的发展，微电子半导体器件在材料尺寸和性能上已经接近于极限，研究基于分子尺度的纳米器件已是历史所趋，并成为微纳技术的......
氮化硼(BN)是一种应用极为广泛的Ⅲ-Ⅴ族半导体材料,BN膜通常是利用物理及化学气相沉积的方法获得的。沉积BN膜所用衬底材料一般为......
利用磁控溅射技术在石墨衬底上制备了石墨/a-Si/Al和石墨/Al/a-Si叠层结构,采用常规退火（CTA）和快速热退火（RTA）对样品进行退火,系统研......
以GaN、SiC和ZnO为代表的宽带隙半导体材料,有望突破第一代半导体材料Si和Ge,以及以GaAs和InP为代表的第二代半导体材料在光电子技......
ZnO是II-IV族直接带隙半导体材料,室温下禁带宽度为3.37eV,同时具有高达60meV的激子束缚能以及出众的光学和电学特性,这使其在下一......
氮化镓(GaN)是一种直接宽禁带半导体材料,常温下禁带宽度为3.39eV,由于它的带隙能从0.7eV连续变化到6.2eV,所对应的波长覆盖了从近......
在石墨衬底上分别制备了具有(220)和(400)择优取向的多晶硅薄膜。首先利用磁控溅射技术直接在石墨衬底上制备非晶硅薄膜层,以及先......
