采用ＴＥＭ观测与Ｘ射线双晶回摆曲线检测化学腐蚀逐层剥离深度相结合的方法，分析了ＳＩ－ＧａＡｓ晶片由切、磨、抛加工所引入的损伤层深度。比较两种方法......

用具有调制源的分子束外延(MBE)轻掺杂Si生长出GaAs层,并利用低温光致发光测定了它的特性。在光致发光光谱的近带边区观察到了自由......

利用表面光伏法（ＳＰＶ）研究了半绝缘ＧａＡｓ（ＳＩ－ＧａＡｓ）的缺陷态，通过加直流光偏置测量了室温下带边以下的光伏响应，发现带隙内缺陷态的光伏向应主要是由于表面......

采用非接触工激光／微波光电导衰减技术对Φ５０．８ｍｍ双面抛光的半绝缘ＧａＡｓ晶片的复合寿命进行了无损伤检测，得到了有效载流子寿命沿晶片直径的径向......