SI薄膜相关论文
选用Au／Bi合金熔体在低温下实现了硅薄膜的外延生长，外延温度400℃～500℃，采用Sn源内的饱和硅来保护衬底的方法，以防止升温饱和过程中衬......
利用多层溅射技术制备了ＷＳｉ＿ｘ／Ｓｉ薄膜，然后测量其平面电阻的退火行为，发现平面电阻在６００－７００℃之间退火后有陡降，这对应于非晶ＷＳｉ＿ｘ薄膜中Ｗ＿５Ｓｉ＿３四角相的形成。ｘ射......
本文运用晶界复合损失模型,分析计算了晶粒度和厚度对背面扬(Sn=0)和欧姆接触(Sn=∞)的MIS Schottky势垒多晶Si薄膜太阳电池光电流......
本文论述了使用一种灯与反应室为统一体的新型光CVD法.这种没有灯管和反应室窗口的光CVD系统有利于短波长光的辐射.在没有汞敏化剂......
针对当前磁控溅射离子镀技术制备的、以改善工件表面力学和摩擦学性能为目的的金属薄膜及碳化物/氮化物薄膜沉积过程中粗晶化倾向......
纳米材料的尺度是处于原子簇与宏观物理之间的交界的过渡区域，在纳米材料中，纳米微粒具有大的比表面积，表面原子数、表面能和表面张力......
在6H-SiC衬底上生长Si薄膜,希望以此作为光吸收层,实现SiC功率器件的非紫外光触发。Si/SiC异质结的光电特性与Si薄膜的生长质量关......
在半导体材料领域,结晶Si薄膜的低温生长引起了人们的广泛关注,一方面是因为它们在大面积微电子、光电子和光子器件的实际应用以及......
利用电感耦合等离子体CVD方法在 35 0℃的低温下在镀Al玻璃衬底上制备出具有良好结晶性的Si薄膜 .利用x射线衍射、紫外 可见分光椭......
本文在分析表面扩散各向异性、二聚体和二聚体列影响的基础上,建立了Si(100)-(2×1)表面上Si薄膜生长的K inetic Monte Carlo(KMC)......
直接抛光后的SiC反射镜表面光学散射仍较大,无法满足高质量空间光学系统的心用需求.为此必须对SiC反射镜进行表而改性,以获得高质......
利用单圈内置式ICP-CVD方法在室温下制备了Si薄膜。在拉曼光谱、原子力显微镜（AFM）对样品结构分析的基础上，采用对样品结构无损伤的椭......
本文介绍了直流磁控溅射淀积Si薄膜的镀膜工艺,研究了Si薄膜的光学特性(包括透射率光谱曲线、光学吸收、光学常数)和电阻率,通过对......
电感耦合等离子体（ICP）是一种极具发展前景的低温高密度等离子体源，已经在大规模集成电路的深亚微米刻蚀和大面积均匀薄膜的淀积中得......
采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）法制备了不同射频功率的Si薄膜,并对其进行真空退火处理。研究了射频功率和退火处理对薄膜微观......
采用离子束溅射技术,在低生长束流（4～10 mA）范围内,对低温（25～300 ℃）Si薄膜的晶化进行了研究.由Raman和XRD表征分析得出：在300℃采用6mA......
基于铝诱导晶化方法，通过直流磁控溅射离子镀技术利用纯Al、纯Si和Al（Ce）靶材，制备了Al—Si和Al（Ce）Si薄膜。采用真空退火炉和X射线衍射......
本文在分析表面扩散各向异性、二聚体和二聚体列影响的基础上,建立了Si（100）-（2×1） 表面上Si薄膜生长的Kinetic Monte Carlo（KMC）模......
用射频等离子体化学气相沉积（RF-PECVD）法在普通玻璃衬底上低温制备了μc-Si：H薄膜。采用快速光热退火炉（RTP）,分别用低温（〈650℃）和中温......
采用直流磁控溅射法在室温玻璃基片上制备出了掺硅氧化锌（ZnO：Si）透明导电薄膜。研究了溅射功率对Zn0：si薄膜结构、形貌、光学及电学性......
Si薄膜在可见光和近红外波段具有一定的吸收特性,可用于宽带吸收薄膜的制备。采用离子束溅射技术,在熔融石英基底上制备了不同沉积......
椭圆偏振光谱法(简称椭偏法)是一种常见的薄膜光学参数测试方法,具有灵敏度高、测试精度高且对测试样品无损伤等优点。首先系统介......
