Si薄膜相关论文
针对当前磁控溅射离子镀技术制备的、以改善工件表面力学和摩擦学性能为目的的金属薄膜及碳化物/氮化物薄膜沉积过程中粗晶化倾向......
电子既是电荷的负载体，又是自旋的负载体。在传统的微电子学中，电子的输运过程仅利用它的荷电性由电场来控制，而它的自旋状态是不予考......
利用电感耦合等离子体CVD方法在 35 0℃的低温下在镀Al玻璃衬底上制备出具有良好结晶性的Si薄膜 .利用x射线衍射、紫外 可见分光椭......
本文在分析表面扩散各向异性、二聚体和二聚体列影响的基础上,建立了Si(100)-(2×1)表面上Si薄膜生长的K inetic Monte Carlo(KMC)......
电感耦合等离子体（ICP）是一种极具发展前景的低温高密度等离子体源，已经在大规模集成电路的深亚微米刻蚀和大面积均匀薄膜的淀积中得......
采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）法制备了不同射频功率的Si薄膜,并对其进行真空退火处理。研究了射频功率和退火处理对薄膜微观......
采用离子束溅射技术,在低生长束流（4～10 mA）范围内,对低温（25～300 ℃）Si薄膜的晶化进行了研究.由Raman和XRD表征分析得出：在300℃采用6mA......
基于铝诱导晶化方法，通过直流磁控溅射离子镀技术利用纯Al、纯Si和Al（Ce）靶材，制备了Al—Si和Al（Ce）Si薄膜。采用真空退火炉和X射线衍射......
用射频等离子体化学气相沉积（RF-PECVD）法在普通玻璃衬底上低温制备了μc-Si：H薄膜。采用快速光热退火炉（RTP）,分别用低温（〈650℃）和中温......
采用直流磁控溅射法在室温玻璃基片上制备出了掺硅氧化锌（ZnO：Si）透明导电薄膜。研究了溅射功率对Zn0：si薄膜结构、形貌、光学及电学性......
Si薄膜在可见光和近红外波段具有一定的吸收特性,可用于宽带吸收薄膜的制备。采用离子束溅射技术,在熔融石英基底上制备了不同沉积......
椭圆偏振光谱法(简称椭偏法)是一种常见的薄膜光学参数测试方法,具有灵敏度高、测试精度高且对测试样品无损伤等优点。首先系统介......
