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采用真空共蒸发法在室温下沉积Sb-Te薄膜,在N2气氛中进行573K退火处理,制备出符合化学配比的Sb2Te3薄膜.将Sb2Te3薄膜用作CdTe太阳......
文章以高纯Sb和Te为锑源和碲源,使用分子束外延(molecular beam epitaxy ,MBE)设备,在超高真空条件下外延生长拓扑绝缘体薄膜。通过XRD(X......
本文采用离子束溅射Bi/Te和Sb/Te二元复合靶,直接制备n型Bi2Te3热电薄膜和p型Sb2Te3热电薄膜.在退火时间同为1h的条件下,对所制备......
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