背接触相关论文
碲化镉(CdTe)是一种制备高效率、低成本太阳电池的理想光吸收层材料。它是直接带隙半导体,禁带宽度为1.45 e V,与太阳光谱匹配良好......
权利要求1.一种钙钛矿/背接触晶硅叠层太阳能电池,其特征在于,它采用双结叠层结构,底电池为背接触晶硅太阳能电池,顶电池为钙钛矿......
Mo背接触对CIS(CIGS)电池性能有很大的影响,为了研究不同条件对Mo衬底性能的影响,我们制备了一系列样品。然后用膜厚测试仪、霍耳......
碲化镉(CdTe)是一种禁带宽度为1.45 eV的Ⅱ-ⅥI族直接带隙半导体,与太阳光谱的响应处在最理想的太阳光谱波段,而且CdTe薄膜具有高......
薄膜太阳电池的研究及其应用是当今光伏领域的热点。CdTe多晶薄膜太阳电池作为一种吸收率高、低成本的太阳电池,受到了广泛的注意......
采用真空共蒸发法在室温下沉积Sb-Te薄膜,在N2气氛中进行573K退火处理,制备出符合化学配比的Sb2Te3薄膜.将Sb2Te3薄膜用作CdTe太阳......
采用硝酸-磷酸腐蚀CdTe薄膜,研究了硝酸-磷酸腐蚀速率、浓度、时间对薄膜的结构、形貌、组分的影响,获得腐蚀的最佳工艺条件.在腐......
利用Silvaco公司的Athena工艺仿真软件和Atlas器件仿真软件,对N型插指背结背接触(Interdigitated Back Contact,IBC)晶硅太阳电池......
在CdTe与金属背电极间形成稳定的低电阻接触,有助于提高CdTe太阳电池性能.采用硝酸-冰乙酸腐蚀CdTe薄膜并用真空蒸发法沉积铜背接......
使用掺杂石墨浆作为碲化镉薄膜太阳电池的背接触层.研究了石墨浆的成分、涂覆了石墨浆后的热处理工艺对单元电池器件性能的影响.使......
将真空共蒸发技术沉积的ZnTe/ZnTe:Cu复合薄膜应用于CdS/CdTe太阳电池,作为碲化镉与金属背电极间的过渡层.比较了有无ZnTe复合背接......
我们采用等离子束轰击的方法,研究了干法腐蚀对多晶CdTe薄膜结构和性能的变化,以及对CdTe太阳电池性能的影响。发现与湿法腐蚀方法......
利用TCAD半导体器件仿真软件对中低倍聚光光伏系统中应用的N型叉指背接触（IBC）单晶硅太阳电池的电学性能进行了仿真研究。全面系统地......
利用TCAD半导体器件仿真软件详细地分析了前表面场（FSF）表面浓度及扩散深度对N型插指背接触（IBC）太阳电池电学性能的影响。分析和评价......
采用硝磷酸（NP）背表面刻蚀工艺并结合真空共蒸发法分别沉积了几种背接触层材料,研究了NP腐蚀对CdTe薄膜性能及背接触层的影响．结果表......
采用溶液法及后硒化处理的方式在柔性钼衬底上制备铜锌锡硫硒薄膜,并通过XRD、EDS、Raman和SEM分析薄膜的结晶性、物相和形貌。研......
利用TCAD半导体器件仿真软件对N型插指背接触（Interdigitated Back Contact,IBC）单晶硅太阳电池发射区半宽度进行研究,全面系统地分......
德国博世太阳能公司与德国哈梅林太阳能研究所采用离子注入交又背结背接触（IBC）技术，成功制成了一款转换效率达22．1％的晶体硅太阳能光伏......
首先,利用TCAD半导体器件仿真软件对比分析了在无前表面结构、N型前表面场(Front Surface Field,FSF)及P型前表面浮空发射区(Front......
由载流子输运理论推出a-Si：H／c-Si异质结太阳电池的背接触势垒是其j-V曲线出现S-shape现象的原因之一，此时电池内部存在两个串联反偏......
环境污染和化石能源减少的问题日趋严重,寻找和开发环保可再生的新型能源以缓解地球的能源危机尤为重要。因此,发展可持续和环境友......
CdTe薄膜的腐蚀是制作CdS/CdTe光伏电池的重要技术之一,本实验采用硝磷酸溶液（硝酸1%＋磷酸70%＋去离子水29%）腐蚀CdTe薄膜,通过XRD测试......
日本钟化公司开发的结晶硅光伏发电模块的转换效率达到了24．37％。这是日本产业技术综合研究所测定的。开口部的面积达到13177cm^2。......
光伏电池是近年来节能减排技术的代表,而交叉式背接触型光伏电池（IBC, Interdigitated back contact, IBC）则是近年来光伏电池研究......
弗劳恩霍夫太阳能系统研究所（Fraunhofer ISE）日前在背接触太阳能电池的生产工艺中使用了Rasirc公司的蒸汽发生器，电池的效率一举突破......
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CdTe多晶薄膜太阳电池由于其效率高、制备工艺简单、成本低廉和易于产业化等优点,在最近二十年已经成为薄膜太阳电池领域的研究热......
在光伏产业中,CdTe是最具有经济效益与前景的太阳能电池半导体材料之一。CdTe是一种直接带隙半导体,禁带宽度为1.45 eV,对太阳光谱......
基于非等温能量平衡传输模型，利用TCAD半导体器件仿真软件对N型插指背接触（IBC）单晶硅太阳电池反向输出特性进行了仿真研究。通过光电......
近年来,硒化锑(Sb_2Se_3)由于其优异的半导体性质而受到广泛关注,例如晶界惰性以及禁带宽度合适。Sb_2Se_3薄膜太阳能电池发展尤为......
从理论上分析了CdS/CdTe/Au器件的暗态、高正偏压下电流饱和(Roll over)和光照、高正偏压下光暗I V曲线相交(Crossover)现象。通过......
本论文主要研究了硅衬底的表面形貌、硅的背接触对有机/硅(Si)杂化光伏器件光伏性能的影响。为获得基于晶体Si的高效率太阳能电池,......
CdTe多晶薄膜太阳电池以其转换效率高、制作成本低和易于产业化的优点，引起了人们的广泛关注，并成为国内外薄膜太阳电池研究的热点之......
光伏材料需要兼顾较高的光电转换效率和较低成本的工业化生产的要求,而多晶硅薄膜兼具体硅的优异光电性能及非晶硅薄膜的低成本的......
近年来,CdTe薄膜太阳电池展现出了广阔的市场应用前景。然而,现今CdTe薄膜太阳电池的转换效率和其理论极限之间仍然存在着巨大差距......
铜锌锡硫具有光吸收系数高、带隙宽度合适,而且在自然界中以矿物形式存在,具有稳定性好、成本低廉和环境友好等优势,是极具发展前......
寻找廉价、可再生的新型清洁能源己成为当前人类面临的迫切课题。CIS/CIGS薄膜太阳电池以其廉价、高效、性能稳定等优点,成为当今......
<正>1.3.4.2金刚线切割发展的技术趋势1)大切速。传统砂浆钢线切割是通过高速运动的钢线带动掺在切割液中的碳化硅游离颗粒磨刻硅......
利用TCAD半导体器件仿真软件对中低倍聚光光伏系统中应用的N型插指背接触（Interdigitated Back Contact,IBC）单晶硅太阳电池的电学性......
高效率、低成本是晶体硅太阳电池发展的主流方向。背接触电池以其独特的器件结构、简单的制备工艺及较高的电池效率，备受光伏市场的......
