SiC材料相关论文
尖晶石型氮氧化铝(AlON)是Al2O3-AlN体系中一种重要的化合物,由于它具有优良的力学、化学和光学性能,因而成为颇具潜力的新型陶瓷......
宽禁带导体材料SiC拥有许多优越的物理特性,这使得它在高温,高频,大功率,以及极端化学环境下具有广泛应用。目前,对于SiC材料的电......
相对于传统Si材料，宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料具有较高击穿电场，较高饱和电子速率，较大热导率，较低本征载流子浓度以及抗辐射和抗化......
作为第三代半导体材料,siC半导体材料凭借其较宽禁带、较高的临界击穿电压、较高热导率以及饱和漂移速度等优异的特性,正在逐渐取......
实验考察了含TiO2高炉渣对Sialon结合SiC耐火材料的侵蚀行为.结果发现,渣中TiO2含量仅为1.05%时,耐火材料中将形成Ti(C、N),并积聚......
本文综述了工业生产及实验室方法合成各种碳化硅材料的制备技术。对碳化硅材料在普通工业领域和一些高技术领域中近年来发展的工业......
SiC材料不易被渣浸润，且具有较高的热导率，常被用于高炉出铁沟浇注料来改善浇注料抗高炉渣侵蚀性和抗剥落性。但近年来，随着高炉冶炼......
新材料的开发研究过程中,人们总是把着眼点放在均匀体系,通过控制其成分、结构等来改善某种性能。譬如说对于高温结构陶瓷碳化硅(S......
通过研究制备了用于直写成型SiC陶瓷零部件所需的SiC浆料,分析用于直写成型的SiC浆料的分散性、流变性要求,研究分散剂和流变助剂......
用热丝CVD法，以丙酮和氢气为碳源，在SiC衬底上沉积金刚石薄膜，提出了分步变参数沉积法制备超细晶粒金刚石复合薄膜的新工艺。结果表明......
随着雷达探测系统、精确制导技术的迅猛发展与应用,大型航空飞行器或装备系统在使用时面临极大的威胁。吸波材料可以有效降低目标......
介绍了一种大长宽比长条型反射镜的轻量化结构设计方法。讨论了反射镜的材料选择和轻量化结构形式,同时在轻量化设计过程中引入拓......
SiC因其宽的禁带宽度、高的电子饱和速度、大的临界击穿场强、高的热导率和热稳定性等特性而成为制作高频、大功率和耐高温器件的......
耐高温雷达隐身材料对提高武器装备的生存能力具有重要意义和实际应用价值。本文总结了耐高温吸波材料的研究进展,详细论述了SiC基......
碳化硅材料具有高熔点、高热导率低中子反应截面和耐腐蚀等优点,适用于具有高温、高通量中子辐照环境的先进核能系统中。中子辐照......
利用传统光学加工方法，采用陶瓷磨盘和金刚石微粉对国产化学气相沉积（CVD）SiC进行了粗磨、细磨加工；然后，利用颗粒直径从4μm到1μm的金......
简要介绍了垂直双扩散功率场效应晶体管(VDMOS)的研究现状和发展历史。针对功率VDMOS器件击穿电压和导通电阻之间存在的矛盾,重点......
SiC材料是第三代宽禁带半导体材料的代表，因其在高温、高功率、高辐射条件下的优异性能，而成为“极端电子学”中最重要的研究对象之......
研究了SiAlON(主要为Si 4Al 2O2N 6)结合SiC、复相氮化物(Si 2N 2O/Si 3N 4)结合SiC和β-SiC结合SiC材料在1000℃、CO气氛(C+CO22C......
作为第三代的半导体材料－ＳｉＣ具有禁带宽度大、热导率高、电子的饱和漂移速度大、临界击穿电场高和介电常数低等特点，在高频、大功率、耐......
SiC单晶因其宽的禁带宽度、高的电子饱和速度、大的临界击穿场强、高的热导率和热稳定性等特性而成为制作高频、大功率和耐高温器......
