简要介绍了(Ta_2O_5)_(1-x)(TiO_2),基陶瓷(x分别为0.3,0.4和0.5)的激光烧结技术。提出激光烧结和氧气退火相结合可以实现(Ta_2O_5......

在不用金作掩蔽膜的情况下，在氢氟酸混合液中对采用直流反应溅射方法制备的Ｔａ２Ｏ５薄膜进行选择性腐蚀，制成Ｔａ２Ｏ５膜Ｈ＋－ＩＳＦＥＴ。测试结果表明，该器件在灵敏度......

以乙醇钽[Ta(OC2H5)5]和水蒸气为前驱体,采用原子层沉积(ALD)方法分别在基板温度为250℃和300℃的K9和石英衬底上制备了Ta2O5光学......

研制出一种新型ＳｉＯ－Ｔａ２Ｏ３复合介质薄膜电容器。复合介质膜是用溅射法将ＳｉＯ和Ｔａ２Ｏ３材料溅射在微晶玻璃片上形成的，其下电极Ａｌ和上电极Ａｕ是用蒸发法制备近种......