反应溅射相关论文
分别采用射频溅射和射频反应溅射方式在AZ31镁合金表面制备了氧化铌涂层，并利用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、X射线光电子能谱仪、......
二氧化钒是一种具有特殊相变性能的功能材料.随着温度的变化,二氧化钒会发生从半导体态到金属态的可逆变化,同时,电阻率和光谱透射......
利用WO3和NiO的互补显色可以大大提高电致变色玻璃的变色效率。有关WO3薄膜的制备方法及其性能已有许多文献作了报道。已报道的NiO......
报道了反应溅射沉积ＴｉＯ２薄膜，得到ＴｉＯ２薄膜的特性如沉积速率、透射率、导电性能、吸收系数等与反应气体的流量、溅射功率有关。通过控制氧气......
室温下,采用脉冲直流反应磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了氧化钒薄膜。研究了脉冲调制功率占空比对薄膜物相、表面形貌、组分和热......
WO_3,作为一种被广泛研究的电致变色(Electrochromic,EC)材料,具有出色的着色能力、光学调制能力和耐久性。物理气相沉积(Physical......
AMA光热薄膜是一种在真空环境下光热转换性能较为理想,同时结构简单且热稳定性能较好的太阳光谱选择性吸收薄膜,但其直接用于中高......
在中国,太阳能热水器在太阳能光热应用领域,得到很广泛的普及,太阳能热水器真空管依靠太阳能选择性吸收膜层将太阳能转化为热能,是......
学位
用对向靶反应溅射法制备了α″-Fe1 6 N2 薄膜 ,用 X射线衍射 ( XRD)和振动样品磁强计 ( VSM)对其结构、磁性进行了分析讨论 ,对磁......
以Ag In Te Sb合金靶采用射频反应溅射在不同氧分压下制备了单层Ag In Te Sb O薄膜。对薄膜的反射光谱及光学常数 (n ,k)的研究结......
在不用金作掩蔽膜的情况下，在氢氟酸混合液中对采用直流反应溅射方法制备的Ｔａ２Ｏ５薄膜进行选择性腐蚀，制成Ｔａ２Ｏ５膜Ｈ＋－ＩＳＦＥＴ。测试结果表明，该器件在灵敏度......
室温下,通过采用直流反应磁控溅射法在覆盖有氮化硅薄膜的单晶硅衬底上生长了厚度约为100nm的氧化钛薄膜。掠入射X射线衍射分析结......
本文首先采用镶嵌复合靶反应溅射技术研究了Ti-Al-N体系中的富Ti的(Ti,Al)N薄膜和富Al的(Al,Ti)N薄膜的制备工艺和薄膜的微结构与......
TiAl系合金具有低密度、高比模量、高比强度、良好的抗蠕变能力和抗氧化性能等优点,这使其成为航空航天和汽车发动机耐热结构件极......
YBa2Cu3O7-x超导材料具有高的不可逆场，在超导电机、变压器、磁体、超导储能、核磁共振、电缆等强电领域有着巨大的应用前景。近年......
因在工业上具有广阔的应用前景,高温超导带材研究受到相当的重视。与第一代铋系超导带材（BSCCO）相比,第二代YBCO涂层导体具有较低的......
TiN因具有高强度、高硬度、高熔点、高化学稳定性、耐磨损、良好的导热性等一系列优点以及在增强材料的光致发光、改变半导体的带......
ZnO基薄膜作为ITO薄膜最有可能的替代材料之一,得到了广泛关注。不同于常用的金属或氧化物靶材,本论文以Zn/ZnO、Zn/ZnO/ZnF2混合......
第二代YBCO高温超导带材具有更高的临界电流密度和更优的高场下性能,使其成为最具发展应用前景的超导带材,为各国所广泛关注。而在......
通过交流和直流反应溅射，我们以硅基片(表面上有白金加热电极)为基底制作H_2S气敏元件。实验表明，纳米WO_3和纳米SnO_2对H_2S都具有......
SiC作为第三代半导体材料,其结构稳定,有较高的击穿电场、热导率、电子饱和速率、抗辐射能力以及较宽的禁带宽度,适合制作高温、高......
本文利用反应溅射制备了厚度为8nm到100nm的非晶或微晶Al2O3薄膜，并对其多项电学性能对工艺的依赖性作了研究，特别是对样品的时......
本文介绍椭圆偏振光谱学的原理和研究方法，对新型光电子材料银氧化物和有机发光材料Alq3和Al掺杂的Alq3的椭圆偏振光谱进行了分析，研......
ZnO是一种新型的宽禁带化合物半导体材料，其室温禁带宽度为3.37eV，熔点为2230K，具有良好的热稳定性和化学稳定性以及更短的激射波长，是......
在室温下,利用射频磁控反应溅射法分别在硅片和石英玻璃上制备ZnO薄膜。通过控制O2/Ar流量比,研究O2/Ar流量比对ZnO薄膜的微结构、......
多数 ITO透明导电玻璃生产线在实现 Si O2 膜与 ITO膜在线联镀时 ,应用 Si O2 靶射频溅射沉积 Si O2膜工艺和 ITO靶直流溅射沉积 I......
采用中频磁控反应溅射工艺进行氧化铝薄膜的沉积实验,对该工艺过程中溅射电压和沉积速率与氧流量的“迟滞回线”现象进行了研究。......
本文介绍了新型的等离子体束溅射镀膜机的系统组成、特点、试验结果等内容.该镀膜机将等离子体发生和控制技术应用于溅射镀膜中,克......
期刊
本工作设计制作了一种新型的三段式反应气体进气系统。该进气系统由镀膜真空室内和室外两部分结构组成。真空室内的进气主管由三段......
为了研究添加粘接层对复合涂层的影响,采用脉冲反应溅射在316L不锈钢基体上制备了调制周期为700 nm左右(5层)的Y2O3/Er2O3复合涂层......
反应溅射是制造化合物薄膜最通用的一种技术,至关重要的是靶由金属模式过渡到氧化物模式的临界条件.我们研究了Al-O2反应溅射过程......
采用多靶反应磁控溅射法制备了ＴｉＮ／ＡｌＮ纳米多层膜，并通过ＸＲＤ、ＴＥＭ和显微硬度计对多层膜的调制结构和力学性能进行了研究．结果表明，反应磁控溅射法制......
采用反应溅射法制备了TiN/AlN纳米多层膜,并通过XRD,HREM和显微硬度计对多层膜的调制结构和力学性能进行了研究.结果表明:TiN/AlN......
在3.2mm厚的低铁玻璃衬底上采用金属Al靶在溅射气体Ar和反应气体N2的混合气体中,真空磁控反应溅射沉积半透明的Al-AlN金属陶瓷薄膜......
在原磁控溅射三靶镀膜机上安装了UPS03反应溅射闭环控制单元,替代原有的级差法控制流量计改变反应气体流量的方法,实现反应溅射AlN......
采用直流反应溅射在ITO导电玻璃上沉积了NiOx薄膜,研究了O2流量对其光学和电致变色性能的影响,利用XRD、SEM和XPS对薄膜的微结构和......
用反应溅射方法制备了非晶氧化铝薄膜;以Al/a-Al2O3/Al电容器为载体,研究了此种电容器的电容量,随样品放置时间的衰减过程及其影响......
在Ar、N2和SiH4混合气体中,通过反应磁控溅射方法制备了一系列不同Si含量的Nb-Si-N复合薄膜,采用EDS、XRD、TEM、AFM和微力学探针......
针对“水窗”波段（280～540eV）对多层膜反射镜的应用需求，在Sb的M。吸收边（525．5eV）附近，选择Co和Sb作为该能点的多层膜材料组合，优化设计膜......
摘要： 反应溅射是降低薄膜表面和界面粗糙度的有效手段。为了研究反应溅射过程中氮气（N2）含量对所制备的Ni、Ti单层膜成膜特性的作......
采用了一种较为新颖的真空热处理和大气气氛下热处理相结合的热处理工艺,并应用到两种以反应溅射工艺为基础制备出的多层Ta2O5膜样......
采用Al-Ti镶嵌复合靶在不同氮分压下制备了一系列(Al,Ti)N涂层,并采用EDS,AFM,XRD,TEM和微力学探针表征了涂层的沉积速率、化学成......
通过多靶磁控反应溅射方法沉积了Ti-Si-N系纳米复合薄膜.采用电子能谱仪(EDS)、X-射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、X-射线光......
采用Ar＋离子束对U薄膜表面进行反应溅射,通过白光干涉仪和台阶仪的测量与分析,着重研究Ar＋离子束溅射能量、入射角度对其表面粗糙度R......
列出了各类粒子的产生、输运和它们同靶表面反应的速率方程,并计及高能中性粒子对靶面溅射的剥离速率方程.有关方程耦合后求解溅射......
