TiZrV薄膜相关硕士博士期刊学术论文

TiZrV薄膜相关论文

中国散裂中子源（CSNS）项目升级对于其加速器真空管道的真空度提出了更高的要求,以减少管道中的束流损失和电子倍增等问题。加速器真......

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细长管道 NEG TiZrV薄膜磁控溅射实验研究

MEMS器件是机械电子系统未来的发展趋势。许多MEMS器件需要进行真空封装,从最大程度地减少残余气体,且真空封装水平的高低决定了器......

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TiZrV合金在180℃下加热24 h即可激活,是迄今发现的激活温度最低的非蒸散型吸气剂,已在国外一些粒子加速器得到应用。采用直流磁控......

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TiZrV合金在180℃下加热24 h即可激活,是迄今发现的激活温度最低的非蒸散型吸气剂,已在粒子加速器领域得到应用。采用直流磁控溅射......

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为了减少残余气体散射所导致的束流损失,维持较长的束流寿命,加速器储存环真空室中需要清洁的超高真空环境。储存环中超高真空的获......

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用氩气作为放电气体,采用直流磁控溅射法,成功地在不锈钢管道内壁获得了TiZrV薄膜。分别利用能量弥散X射线谱和X射线光电子能谱测......

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