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基于理想气体的质量守恒原理与Fick 扩 散原理,建立了模拟孔隙发展的数学模型,并采用有限 元与数值差分相结合的方法对耦合场进行解......
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Based on the analysis of three void damage variety models, this note presents (i) a method that regards the void content......
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,Effect of void formation during MEVVA tungsten ion implantation on the microstructure and surface p
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Deformation behavior and microstructural evolution in ultra-high-strength dual-phase (UHS-DP1000) st
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分子动力学(MD)计算模拟是研究复杂的微观系统的有力工具,使用Osetsky模型[1]和Malerba势能[2]进行模拟可以得到更为准确的数据.国......
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The problem of void growth and interaction is of importance to understanding the mechanics of failure in metals exhibiti......
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