ZnO基p-n结相关论文
ZnO基p-n结的电注入发光研究是目前国际研究的热点。本文用MOCVD技术制备了高质量ZnO和ZnMgO薄膜,并在此基础上,采用几种掺杂方法制......
zno是n一IV宽禁带半导体材料,禁带宽度为3 .3 7eV,属于六方纤锌矿结构,具有压电、热电、气敏和光电等多种性能,在很多领域都有广泛的应......