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ZnO粉末靶相关论文
N-In共掺p型ZnO薄膜及p-n结的特性研究
ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族宽禁带(3.37eV)化合物半导体材料。具有较高的激子束缚能(室温下为60meV)和光增益系数320cm-1,是一种理想的短......
学位
ZnO粉末靶
射频磁控溅射
离子注入
退火
N-In共掺杂
p型ZnO
p-n结
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