ZnO纳米带相关论文
由于光电方面的应用,半导体纳米材料是近几十年很有潜力的研究领域。由于量子限制效应和大的表面积体积比,纳米材料具有与体材料完......
电子具有电荷和自旋两个内禀属性。基于操控电子电荷来实现信息处理的传统电子器件,在面向器件微型化和集成化等方面面临越来越多......
用第一性原理研究了C掺杂Zn O纳米带（Zn O-NRs）的能带结构和结构稳定性.研究结果表明：C原子对O原子替代掺杂将使Zn O纳米带在费米面附......
通过化学气相沉积法（CVD）合成出梳状分等级结构的ZnO纳米带，使用场发射扫描电子显微镜（SEM）和X射线衍射仪（XRD）对材料组成和结构进行了分......
利用化学气相沉积法在硅衬底上合成高产的Zn O纳米带,采用微栅模板法得到单根Zn O纳米带半导体器件,通过溅射Au纳米颗粒对单根Zn O......
氧化锌是一种宽禁带半导体材料,它被广泛地应用于光电子学的各个领域,随着纳米科学的发展,近年来出现越来越多的氧化锌纳米材料的......
近年来,肖特基器件受到研究人员的广泛关注。研究肖特基势垒的调控方法对发展肖特基器件有重要作用。我们以ZnO粉末和碳粉通过CVD......
一维ZnO纳米材料具有良好的紫外发光性能、表面极化性能、高比表面积、高热稳定性以及高化学稳定性等，对比纯ZnO，掺杂的ZnO可以表现......
本文利用电子束刻蚀和真空蒸镀法,在单根氧化锌纳米带和SiO2/Si片上,制备了金纳米电极,采用四端法对氧化锌纳米带的电流-电压(I-V)......
以混合的ZnO粉和金属In作为前驱物,通过化学气相沉积方法在Si衬底上合成了In掺杂的ZnO纳米带。利用场发射扫描电子显微镜、透射电......
ZnO是一种重要的直接带隙的宽禁带半导体材料,一维氧化锌纳米结构室温下的带隙宽(3.37eV),激子束缚能高(60meV),一维材料比表面积......
