a-Si薄膜相关论文
用新的催化ＣＶＤ法在约３５０℃的低温条件下研制出了ａ－Ｓｉ薄膜。本方法是利用催化剂，使ＳｉＨ４和Ｈ２混合气体在一定温度下反应而裂解，在衬底上沉积ａ－Ｓｉ薄膜。所制出......
As a device that converts solar energy into electrical energy directly,solar cell is an extremely promising replacement ......
以玻璃为衬底,室温条件下采用直流磁控溅射技术制备了Glass/Al/a-Si样品.在H2,N2和空气3种不同气氛中进行了退火处理.分别采用XRD,......
以表面平整、粗糙的玻璃为衬底，在不同衬底温度下直流磁控溅射沉积a-Si薄膜，制备成glass／a-Si／Al样品，经退火处理制备了poly-Si薄膜。分......
非晶硅薄膜电池是一种最有前途的廉价光伏电池。目前的光电转换效率约为10%。本文根据a-Si薄膜材料的性质和特点,分析了a-Si薄膜太......
以氢气稀释的硅烷（SiH4）和硼烷（B2H6）为气源,利用等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）制备出p型a-Si薄膜.采用铝诱导晶化技术对不同厚度的......
采用PECVD法制备用于室温红外探测器中热敏感材料的掺硼a-Si薄膜。通过系统地研究气体流量、射频功率与衬底温度等制备工艺条件与......
