金属诱导晶化相关论文
在平板玻璃衬底上开展大面积、低成本的透明导电薄膜和太阳能薄膜材料的制备技术研究，对开发利用太阳能、降低成本和推动实用化进程......
效率低、成本高是太阳能电池发展的瓶颈，薄膜太阳电池在降低成本方面比晶体太阳电池具有更大的优势：一是薄膜化可极大地节省昂贵的半......
多晶硅薄膜电池因其低成本和高转换效率两方面的优势成为当前太阳能电池研究和开发的热点。本文采用金属诱导晶化法制备多晶硅薄膜......
金属诱导非晶硅晶化是一种具有潜力的多晶硅薄膜制备方法。纳米尺寸下的金属/非晶硅薄膜系统的晶化现象，涉及到薄膜界面的扩散以及......
利用金属诱导晶化 (Metal Induced Crystallization,MIC)的方法研究了 a- Si/Ni的低温晶化 ,MIC的晶化温度降低到 440℃。采用 XRD......
以硝酸镍溶液为化学源,对于用不同方法沉积得到的非晶硅膜作晶化前驱物,都能予以不同程度的晶化.用VHF-PECVD方法获得的非晶硅膜作......
用无电电镀的化学方法,在VHF-PECVD沉积获得的非晶硅薄膜表面形成镍诱导源,在550℃下退火若干小时,可以诱导产生微米量级的多晶硅......
多晶硅薄膜由于兼具稳定性、高光敏性、便于大面积沉积等优势成为目前光伏领域的研究热点。本文综述了近几年金属诱导非晶硅薄膜晶......
利用电子束蒸镀方法及重掺杂p型硅为蒸发源在K8玻璃衬底上沉积非晶硅薄膜,采用镍诱导晶化法在氮气氛围下进行退火处理制备出p型多......
多晶硅薄膜是当前在能源科学和信息技术领域中广泛使用的功能材料,它兼具单晶硅和氢化非晶硅(a-Si:H)的优点.本文评论了近几年多晶......
对在氢化非晶硅薄膜(a-Si:H)上溅射金属Ni的样品进行金属诱导晶化(MIC)/金属诱导横向晶化(MILC),制备多晶硅薄膜(p-Si)的工艺及薄......
介绍了一种新的金属诱导多晶硅技术。该技术的核心是预设规则化晶核定位孔和镍源补充孔与溶液浸蘸技术的结合。以定位孔为晶化的起......
使用金属镍诱导非晶硅晶化(MIC:metal-induced crystallization)技术,获得了低温(＜550℃)多晶硅.通常在镍覆盖区以外的晶化硅更加有......
设计了用于测量非晶硅薄膜诱导晶化的电阻值的实验装置，通过实时电阻测量方法实现了金属诱导晶化制备多晶硅薄膜的实时监控．结果表明......
采用电场增强金属诱导侧向晶化方法获得了结晶良好的多晶硅薄膜,拉曼光谱分析表明侧向扩散区域结晶效果最好,X射线衍射分析表明加......
以氢稀释的硅烷和氢气为反应气体，利用PECVD法在玻璃衬底上生长非晶硅薄膜，然后在非晶硅薄膜上磁控溅射沉积金属铝膜。在外加横向电......
采用实时电阻测量方法实现了金属镍诱导晶化制备多晶硅薄膜的实时监控,实验中使用了两种样品,一种采用电场增强侧向晶化;另一种采......
以氢气稀释的硅烷和氢气为反应气体,利用PECVD法先在玻璃衬底上生长非晶硅薄膜,然后利用磁控溅射法在非晶硅薄膜上镀制铝膜,最后将......
为了满足在普通玻璃衬底上制备多晶硅薄膜晶体管有源矩阵液晶显示器,低温(＜600℃)制备高质量多晶硅薄膜已成为研究热点.本文研究了......
多晶硅薄膜由于具有较高的载流子迁移率和良好的光电性能,广泛应用于集成电路及光电器件中,尤其在太阳电池领域引起了广泛关注。多......
在平板玻璃衬底上开展大面积、低成本的透明导电薄膜和太阳能薄膜材料的制备技术研究，对开发利用太阳能、降低成本和推动实用化进程......
对可形成硅化物的金属铜、镍诱导非晶硅晶化机制进行了研究。利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)和磁控溅射制备了Cu/a-Si、Ni/a......
金属/半导体复合薄膜是信息功能材料领域中广泛研究的热点课题，尤其在微电子器件、光电子元件以及太阳能电池等方面具有广阔的应用......
