ammoniating相关论文
Large-scale GaN nanowires are successfully synthesized by ammoniating Ga2O3 films on Nb layer deposited on Si(111) subst......
大规模轧了 nanowires 被 ammoniating Ga2O3 电影成功地在在 850 点在 Si (111 ) 底层上扔的 Nb 层上综合。X 光检查衍射(XRD ) ，......
利用射频磁控溅射技术在Si（111）衬底上制备Ga2O3／BN薄膜，在氨气中退火合成了大量的一维GaN纳米棒。用X射线衍射（XRD）、选区电子衍射（SAED）......
用氨化溅射Ga2O3薄膜的方法,成功地合成了一维GaN纳米线.用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)和高分辨电镜(HRTEM)......
采用NH3为N源,以Ga2O3粉末为Ga源高温氨化形成GaN粉末.用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、选择区电子衍射(SAED)对粉末进行......
采用射频磁控溅射技术在硅衬底上制备Ga2O3／Nb薄膜，然后在900℃下于流动的氨气中进行氨化制备GaN纳米线。用X射线衍射（XRD）、透射电子......
分别利用Ga2O3粉末和Ga2O3凝胶作为Ga源,采用NH3为N源,在950℃下,分别将两种反应物与流动的NH3反应20 min合成了GaN微晶.用X射线衍......
简要介绍了溅射后氨化法制备氮化镓薄膜（纳米结构）的技术，总结了近年来用此方法所取得的科研成果，并着重介绍了衬底结构对氮化镓薄膜形......
