以惰性盐为分散剂,通过直接氮化金属镓与氟化钙的混合物,在较低温度下(650℃)大量合成出角面截面型氮化镓纳米棒,大大低于以往文献......

利用射频磁控溅射技术在Si(111)衬底上制备Ga2O3／BN薄膜,在氨气中退火合成了大量的一维GaN纳米棒。用X射线衍射(XRD)、选区电子衍射......

利用射频磁控溅射技术在Si（111）衬底上制备Ga2O3／BN薄膜，在氨气中退火合成了大量的一维GaN纳米棒。用X射线衍射（XRD）、选区电子衍射（SAED）......

以惰性盐为分散剂,通过直接氮化金属镓与氟化钙的混合物,在较低温度下（650℃）大量合成出角面截面型氮化镓纳米棒,大大低于以往文献报......