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p型SiC相关论文
基于PVT法的SiC晶体热场模拟及p型4H-SiC的生长
碳化硅(SiC)是一种新型的第三代宽禁带半导体材料,可在高温、高压和高频等极端环境中替代传统半导体材料,在航天、航空、军事等领......
学位
p型SiC
PVT法
热场模拟
Al掺杂
p型SiC欧姆接触理论及研究进展
碳化硅(SiC)具有宽禁带、高临界击穿电场、高热导率等优异特性,是制备高温、高频、大功率器件最理想的半导体材料之一。然而,制备......
期刊
p型SiC
欧姆接触
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