PVT法相关论文
本文研究SiC粉料的空隙率对晶体生长的影响.分析比较了当粉料取不同空隙率时粉料中以及生长腔内温度分布的异同,并结合实验研究了......
根据物理气相传输法(PVT)AlN晶体生长特点及工艺要求,自主设计了AlN晶体生长炉及其配套热场。FEMAG软件热场模拟结果表明,自主设计......
氮化铝(AlN)单晶与AlGaN外延层之间具有最小的晶格失配率，以及近乎为零的热膨胀系数失配率，由此成为制备含有高铝组分AlGaN和AlN......
ZnSe晶体，具有可调谐范围宽，激发态吸收小、吸收和发射截面大以及室温下量子效率高等优异的性能，是非线性光学器件和中红外激光器......
电离室测氚在氚工厂、核聚变实验堆、环境监测以及各种涉氚实验装置中得到了广泛的应用。通过PVT法配制一定氚活度浓度的含氚气体,......
本文提出一个用PVT法生长S iC晶体的坩埚的新颖设计。分析了生长腔中有无锥形档板对腔内及籽晶温度场的影响;比较了档板取不同厚度......
研究了U-H2O 体系中氢的物理化学行为.用PVT法和理论计算法分别计算出U-H2O反应产生的氢气量,应用XRD、XPS对固体反应产物表面了分......
SiC晶体生长过程中源-衬距的减小影响晶体生长速率和晶体的品质。制定了下调坩埚系统高温区和不同粒度的SiC粉源分别放置在坩埚不......
SiC作为第三代半导体材料具有巨大应用潜力，但PVT法生长的SiC晶体中存在的大量缺陷严重限制了其器件应用。研究表明非均匀热场所引......
在宽禁带半导体领域中,继GaN和SiC之后的研究热点是一种在蓝光、紫外、近紫外波段的光电子器件极具潜力的光电子材料,ZnO。它是一......
硫化镉（Cd S）是一种光学和电学性能优异的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料。以硫化镉（Cd S）晶片作为籽晶,采用有籽晶的物理气相传输（PVT）法生长出大尺......
期刊
针对小通道气液两相流段塞流,将常规通道的压力-体积-温度测量法（PVT法）应用于两相流流量测量研究。利用光电传感器、温度传感器以及......
采用有限元分析法，系统地研究了用PVT法制备大尺寸SiC晶体生长装置中感应加热线圈的不同高度和匝间距对晶体生长温度场的影响；获取了......
采用有限元分析法系统地研究了大尺寸6H-SiC晶体PVT法生长装置中感应加热线圈的不同高度和匝间距对生长腔、粉源以及生长晶体温度......
本文利用数值模拟技术研究了PVT法生长SiC单晶的热场分布,分析了加热频率对热场分布和系统加热效率的影响。结果表明,坩埚发热密度......
硒化镉（CdSe）是一种光学和电学性能优异的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料.以硫化镉（CdS）晶片作为籽晶,采用物理气相传输（PVT）法生长出大尺寸CdSe单晶,......
利用PVT法测定了贮存3年的老化钯床在35，50，65℃及75℃下的吸／放氚p-c-T曲线，根据实验结果计算了吸傲氚过程中熵与焓的变化。分析了老......
PVT法应用于宽禁带半导体材料SiC、AlN等晶体的生长[1]。本文设计了一种新型的PVT加热体,通过优化几何机构从而调节温场,结合VR Al......
研究了SiC粉料的空隙率对晶体生长的影响．分析比较了当粉料取不同空隙率时粉料中以及生长腔内温度分布的异同，并结合实验研究了生长......
地层条件下的天然气偏差系数是用来计算气藏储量的关键数据。据文献调研，针对异常高压气藏天然气偏差系数求取问题，目前可通过实验测......
碳化硅(SiC)是一种新型的第三代宽禁带半导体材料,可在高温、高压和高频等极端环境中替代传统半导体材料,在航天、航空、军事等领......
PVT法生长SiC单晶生长腔的温场分布是影响晶体质量的重要因素。采用数值模拟研究了保温层和坩埚结构以及线圈位置对6英寸SiC晶体生......
采用有限元分析法系统地研究了大尺寸6H-SiC晶体PVT法生长装置中感应加热线圈的不同高度和匝间距对生长腔、粉源以及晶体生长温度......
本文采用有限元分析方法系统地研究了大尺寸SiC晶体PVT法生长装置中的加热组件不同的耦合间隙对生长系统中的感应磁场、感生电流和......
本文提出一个用PVT法生长SiC晶体的坩埚的新颖设计。分析了生长腔中有无锥形档板对腔内及籽晶温度场的影响；比较了档板取不同厚度时......
研究了PVT法生长SiC过程中的传热行为,以优化生长条件、获得高质量单晶.该研究是针对坩埚盖(籽晶粘附于坩埚盖上)和炉盖之间的传热......
本文根据SiC晶体PVT生长炉的实际提出了生长系统温度场计算的流体力学模型,采用有限元法分析了生长腔内的热传导、辐射和对流对生......
报道了生长SiC单晶的PVT法生长工艺,研究了晶体生长温度、温度梯度、生长室压力、杂质等因素对晶体生长和晶体质量的影响,确定出合......
本文综述了ＳｉＣ单晶的物理性质、晶体结构、制备过程以及应用等，详细地介绍了大尺寸ＳｉＣ阐日 的ＰＶＴ法制备和该过程中的关键要素，分析了ＰＶＴ法制备的......
物理气相输运法(PVT)是实验室最为常见的碳化硅(SiC)大块单晶生长方法。本文在碳化硅晶体生长模型化研究中,针对碳化硅单晶PVT生长......
随着微电子技术的发展,传统基于Si和GaAs半导体材料器件由于本身结构和特性,在高温、高频、光电等方面越来越显示出其不足和局限性......
采用数值模拟研究PVT法φ150 mm 4H-SiC单晶生长的功率、频率选择、坩埚位置及保温厚度等关键生长参数。研究表明φ150 mm 4H-SiC......
SiC单晶生长是一个引人注目的研究热点,受到各国政府、科研人员的广泛关注.本文综述了SiC单晶生长的研究进展,对目前广泛采用的PVT......
物理气相传输(PVT)法是生长大尺寸、高质量有机晶体的常用方法,得到的晶体通常具有厚度薄,表面平滑等特点。同时PVT法生长晶体在较......
