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p型Zn1-xMgxO相关论文

IA族元素（Li、Na）掺杂的p型Zn1-xMgxO薄膜的制备与性能研究

ZnO是Ⅱ-Ⅳ族宽禁带半导体材料,室温下直接禁带宽度约3.3eV,激子结合能高达60meV,可以实现室温或更高温度下高效的激子受激发光。......

学位

半导体薄膜 p型Zn1-xMgxO Li掺杂 Na掺杂直流反应磁控溅射(DC-RMS) 脉冲激光沉积(PLD)

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