Na掺杂相关论文
CO氧化在化学能量转换和气体污染物控制中具有重要的意义,它是水汽变换反应的基础步骤,是燃料电池中从重整H2中去除CO的关键步骤。......
在平面波和赝势法基础上研究了Ca位Na掺杂的钙钛矿型CaMnO3晶体材料的晶体结构、电子结构和光吸收性质, 分析了Na掺杂CaMnO3晶体材......
电极材料对锂离子电池的性能有着很大的影响,石墨表现出较低的能量密度,并且由于在高电流密度下会产生锂树枝状生长而具有严重的安......
半导体材料的发展是社会生产力进步的基石,ZnO作为一种新型的半导体材料因其优异的性能在光电器件领域有巨大的应用潜力。但ZnO中......
作为一宽禁带Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体，ZnO薄膜材料的研究受到广泛的重视。ZnO薄膜材料在光电、压电、气敏传感器、集成光学、透明导电......
近年来,氧化锌(ZnO)因其独有的优越性能,和在许多领域应用的巨大潜力而备受关注。然而,高性能又稳定可靠的p型ZnO一直没能实现,这......
本文研究了Na掺杂对MTG -YBCO(YBa2 -xNaxCu3 Oy+ 4 0mol%Y2 BaCuO5 ,x =0 .0、0 .1、0 .2 )生长织构及其超导性能的影响。适量Na......
在硅单晶上,采用了环境友好的ZnO/Zn0.9Mg0.9多层量子阱结构作为有源层,Na作为P型掺杂元素,制备了ZnO发光二极管(LED).该LED在室温......
利用磁控溅射方法制备了引入Na或Cu元素前后Si/NiO异质结。实验结果表明,Na元素引入后的Si/NiO∶Na异质结的整流特性最佳。此时,Si......
采用密度泛函理论的第-性原理计算研究了力型 Na 掺 杂 各 向 异 性 ZnO 的能带结构、光学性质、介电 性质、总态密度和不同原子的......
采用真空熔炼和热压烧结相结合的方法制备AgSbSe2基热电材料,重点考察Na掺杂对AgSbSe2组织结构和热电输运特性的影响。研究结果表......
采用固相反应法制备了样品La0.67Sr0.33-xNaxMnO3（x=0．05，0．10，0．15，0．20，0．25，0．33）。通过实验测出了样品的X射线衍射谱图、M-T曲线、p-T曲线和......
采用高温固相合成法制备了8种新型钠掺杂的双钙钛矿氧化物。其中,Na由于具有挥发性而使得人们对其掺杂的结构研究比较少,而含四价F......
氧化锌(ZnO)是Ⅱ-Ⅵ族宽禁带的直接带隙化合物半导体材料,禁带宽度为3.37eV,激子束缚能60meV,是制备发光二极管和半导体激光器的一......
ZnO是一种宽禁带直接带隙半导体,其禁带宽度为3.37eV。由于ZnO的高激子束缚能（60meV）而备受关注。同时,由于ZnO单晶及薄膜制备工艺的......
ZnO是直接带隙的Ⅱ-Ⅵ族宽禁带氧化物半导体材料。室温禁带宽度3.37eV,对应近紫外波段,且激子束缚能高达60meV,易实现室温或更高温......
作为一种新型Ⅱ-Ⅵ族直接带隙化合物半导体材料,ZnO具有禁带宽度大(3.37 eV)、激子束缚能高(60 meV)等优点,非常适用于制备短波长......
在硅单晶上,采用了环境友好的ZnO/Zn0.9Mg0.1O多层量子阱结构作为有源层,Na作为p型掺杂元素,制备了ZnO发光二极管(LED).该LED在室......
近年来薄膜太阳电池飞速发展，铜铟镓硒CIGS)薄膜太阳电池引起光伏行业的广泛关注。其中柔性CIGS薄膜太阳电池具有高的重量功率比、......
Zn O是一种Ⅱ-Ⅵ族直接带隙宽禁带化合物半导体材料,室温禁带宽度为3.37 e V,激子结合能高达60 me V,在紫外、蓝、绿光发光二极管......
众所周知,ZnO是一种重要的宽禁带、直接禁带半导体,室温下的禁带宽度约为3.37eV,激子束缚能为60meV。近几年,对ZnO纳米结构的研究......
在赝势法密度泛函理论的基础上,系统研究了Na掺杂对TiO2基材料电子结构、载流子迁移和光吸收性质的影响。纯的TiO2基晶态材料呈现......
p型透明导电氧化物是半导体材料领域的研究热点之一。性能良好的p型透明导电氧化物薄膜是制备全透明光电器件的关键,如透明二极管......
采用共沉淀法制备碳酸盐前驱体,通过高温固相反应制备Na+掺杂的富锂锰基正极材料Li1.2-xNaxNi0.13Co0.13Mn0.54O2(x=0,0.01,0.02,0......
以聚酰亚胺(PI)为衬底的柔性铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳电池具备质量比功率高、可弯曲、轻质、适合卷对卷沉积规模化生产等特点,是当......
Cu（In1-xGax）Se2薄膜太阳电池因其优良的性能已成为最具产业化前景的电池之一。采用溅射CIGS四元陶瓷靶材后退火的工艺,可获得大面积......
学位
随着化石能源的日益枯竭,太阳能作为新型可再生能源的来源受到了人们越来越多的关注。其中无机半导体纳米材料通过将太阳能转化为......
本论文的工作分成两个部分,第一部分主要涉及ZnO基半导体的p型掺杂及器件与ZnO基稀磁半导体薄膜的制备与性能研究；第二部分主要关于......
ZnO是Ⅱ-Ⅳ族宽禁带半导体材料,室温下直接禁带宽度约3.3eV,激子结合能高达60meV,可以实现室温或更高温度下高效的激子受激发光。......
铜铟镓硒(CIGS)黄铜矿材料由于吸收系数高、稳定性好、抗辐射能力强、具有可调节的光学带隙等优点而受到广泛关注。目前,基于CIGS......
学位
综述了CIGS薄膜太阳能电池近年来的研究进展。概述了CIGS薄膜的组织结构、性能特性及其之间的联系;介绍了CIGS薄膜吸收层的多种制......
作为直接宽禁带半导体,ZnO具有3.37eV的禁带宽度和60meV的激子束缚能,被认为是制备紫外光电器件和激光器的理想材料。为了实现ZnO......
ZnO是一种Ⅱ-Ⅵ族宽禁带直接带隙半导体材料,室温下禁带宽度约为3.37eV,激子束缚能高达60meV,远高于室温下的热能（26meV）,可实现室温......
采用溶胶-凝胶技术制备不同Na掺杂ZnO薄膜,用XRD、拉曼光谱仪、AFM、SEM和紫外可见分光光度计等表征方法研究了Na掺杂量对ZnO薄膜......
