Li掺杂相关论文
采用固相反应法在900℃下制备了掺Li、Mg化合物Na0.75Li0.25Mn0.75O2和Na0.75Mg0.25Mn0.75O2.采用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微......
运用第一性原理方法,研究了不同浓度碱金属Li的掺杂对单层Janus MoSSe的电子结构和光学性质的影响.计算结果表明:Li替代掺杂后,其......
光伏发电的广泛应用为我国发展绿色经济和清洁高效的能源结构提供了新思路.在最近几年时间里,众多新型半导体材料被应用于光伏领域......
我们测量了Li掺杂YBa2Cu3Oy晶体的交流磁化率,从交流磁化率曲线的实部提取出晶体在临界温度附近的临界电流密度,我们得到临界电流......
目前,我国是一个石化能源消耗的大国,但随着人们对美好环境的需求日益增加,如何处理燃烧废气、降低大气污染是一个亟需解决的问题......
近年来，关于非磁性离子掺杂半导体d0磁性的研究引起了广泛关注。非磁性离子掺杂可以有效地避免过渡族磁性元素掺杂所产生的磁团簇、......
在目前的储能研究体系当中,廉价金属离子电池由于其不可忽略的价格优势及丰富的储量成为当前研究的热点,钠离子电池是其中之一。然......
学位
三氧化钨(WO)是一种具有广泛应用前景的功能材料,在诸如电致变电、气体探测和化学催化等方面已得到较系统的研究.该文制备WO多晶陶......
采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法分析Li掺杂SnO2材料,研究了Li替代Sn原子掺杂和氧空位缺陷对SnO2体系电子结构和磁性的......
采用溶胶-凝胶法制La1-xLixFeO3（x=0,0.03,0.05.0.07,0.10）纳米晶体粉末,用XRD,TEM,UV-Vis,IR,SPS对合成产物进行表征.结果显示,L1掺......
采用粉末烧结法,制备了一系列掺杂Li的AB5型稀土贮氢合金,并研究了Li掺杂量对贮氢合金MlNi3.55Mn0.40Al0.30Co0.70Lix相结构和电化......
采用溶胶凝胶法旋涂制备了摩尔分数为3%的Li掺杂ZnO薄膜,在450~650℃下退火后测试其微结构、表面形貌和光电特性.结果表明薄膜为六......
摘要：采用第一性原理量子力学分子动力学方法，基于32个原子的超原胞模型，计算了ZnO中各种Li相关缺陷的有关几何和电子结构。通过不同......
实验采用射频（RF）磁控溅射法在高射频功率（550W）下制备了Zn0.9Lo0.1O薄膜，探讨了薄膜的光学性能，并与低溅射功率制备的薄膜性能进行了比......
利用离子束增强沉积(IBED)法制备了Li掺杂ZnO薄膜(LZO),溅射靶为Li/Zn原子比为5％ZnO的陶瓷靶,实验结果显示:IBED法制备的(LZO)薄膜......
单一纯净的WO3电致变色薄膜的性能已经不能满足实际应用的需要，通过掺杂对薄膜性能进行提升已经成为WO3电致变色薄膜研究领域的一个......
在玻璃衬底上用PLD方法成功制备出具有高度(0002)取向性的、晶体质量较好的Li掺杂为0.4%的p型 Zn0.8Mg0.2O薄膜.衬底温度对薄膜的......
采用密度泛函理论平面波超软赝势方法研究了p型Li掺杂的纤锌矿结构ZnO的能带结构、态密度和电荷分布,并分析了Li掺杂ZnO的电输运性......
采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了【101】取向的Li：ZnO薄膜，研究了该薄膜的光学性能随热处理温度变化的规律．结果表明，399nm的发......
利用固相法合成了Li＋、Eu3＋掺杂的NaY（WO4）2红色荧光粉，并且用x射线粉末衍射仪和紫外-可见光谱仪进行了表征。研究发现纯相产物可以在11......
氧化镍(NiO)作为过渡金属氧化物是一种天然的P型宽禁带半导体,室温下禁带宽度在3.6eV～4.0eV之间,目前被广泛应用于探测器、太阳能电......
利用基于密度泛函理论的第一性原理方法,计算了Li掺杂Zn O系统的电子结构和光学性质。结果表明,随着掺杂浓度的增大,带隙线性增大,......
氧化锌（ZnO）是一种新型的宽禁带化合物半导体材料,具有直接带隙能带结构,室温禁带宽度为3.37eV,对应于近紫外光波段。另外,ZnO还具有......
采用水热合成法合成了Li掺杂TiO_2纳米棒阵列,采用扫描电子显微镜（SEM）分析了Li掺杂量、钛酸丁酯含量、反应时间对TiO_2纳米棒阵列形......
Y2O3：Eu3＋是最重要的红色荧光材料,通过两步法制备了具有单分散性的Li掺杂Y2O3：Eu3＋微球并研究了其发光行为。首先采用共沉淀法制备出......
ZnO是Ⅱ-Ⅳ族宽禁带半导体材料,室温下直接禁带宽度约3.3eV,激子结合能高达60meV,可以实现室温或更高温度下高效的激子受激发光。......
ZnO是一种宽禁带的新型II-VI化合物半导体材料,具有六角钎锌矿结构,同时它是一种独特的材料,具备光电、压电等性能。特别地,由于其......
ZnO是直接宽禁带半导体材料（3.37eV）,在室温下具有高的激子束缚能（60meV）,外延生长温度低,抗辐射能力强,在短波发光二极管、半导体激光......
ZnO作为一种宽禁带半导体材料,在紫外光探测器、蓝紫波段LEDs和LDs等领域,有着广阔的应用前景和巨大的市场潜力。ZnO要实现在光电......
