Li掺杂相关论文
目前,我国是一个石化能源消耗的大国,但随着人们对美好环境的需求日益增加,如何处理燃烧废气、降低大气污染是一个亟需解决的问题......
近年来，关于非磁性离子掺杂半导体d0磁性的研究引起了广泛关注。非磁性离子掺杂可以有效地避免过渡族磁性元素掺杂所产生的磁团簇、......
在目前的储能研究体系当中,廉价金属离子电池由于其不可忽略的价格优势及丰富的储量成为当前研究的热点,钠离子电池是其中之一。然......
学位
采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法分析Li掺杂SnO2材料,研究了Li替代Sn原子掺杂和氧空位缺陷对SnO2体系电子结构和磁性的......
采用溶胶-凝胶法制La1-xLixFeO3（x=0,0.03,0.05.0.07,0.10）纳米晶体粉末,用XRD,TEM,UV-Vis,IR,SPS对合成产物进行表征.结果显示,L1掺......
采用粉末烧结法,制备了一系列掺杂Li的AB5型稀土贮氢合金,并研究了Li掺杂量对贮氢合金MlNi3.55Mn0.40Al0.30Co0.70Lix相结构和电化......
摘要：采用第一性原理量子力学分子动力学方法，基于32个原子的超原胞模型，计算了ZnO中各种Li相关缺陷的有关几何和电子结构。通过不同......
实验采用射频（RF）磁控溅射法在高射频功率（550W）下制备了Zn0.9Lo0.1O薄膜，探讨了薄膜的光学性能，并与低溅射功率制备的薄膜性能进行了比......
利用离子束增强沉积(IBED)法制备了Li掺杂ZnO薄膜(LZO),溅射靶为Li/Zn原子比为5％ZnO的陶瓷靶,实验结果显示:IBED法制备的(LZO)薄膜......
单一纯净的WO3电致变色薄膜的性能已经不能满足实际应用的需要，通过掺杂对薄膜性能进行提升已经成为WO3电致变色薄膜研究领域的一个......
采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了【101】取向的Li：ZnO薄膜，研究了该薄膜的光学性能随热处理温度变化的规律．结果表明，399nm的发......
氧化镍(NiO)作为过渡金属氧化物是一种天然的P型宽禁带半导体,室温下禁带宽度在3.6eV～4.0eV之间,目前被广泛应用于探测器、太阳能电......
利用基于密度泛函理论的第一性原理方法,计算了Li掺杂Zn O系统的电子结构和光学性质。结果表明,随着掺杂浓度的增大,带隙线性增大,......
氧化锌（ZnO）是一种新型的宽禁带化合物半导体材料,具有直接带隙能带结构,室温禁带宽度为3.37eV,对应于近紫外光波段。另外,ZnO还具有......
采用水热合成法合成了Li掺杂TiO_2纳米棒阵列,采用扫描电子显微镜（SEM）分析了Li掺杂量、钛酸丁酯含量、反应时间对TiO_2纳米棒阵列形......
Y2O3：Eu3＋是最重要的红色荧光材料,通过两步法制备了具有单分散性的Li掺杂Y2O3：Eu3＋微球并研究了其发光行为。首先采用共沉淀法制备出......
ZnO是Ⅱ-Ⅳ族宽禁带半导体材料,室温下直接禁带宽度约3.3eV,激子结合能高达60meV,可以实现室温或更高温度下高效的激子受激发光。......
ZnO是一种宽禁带的新型II-VI化合物半导体材料,具有六角钎锌矿结构,同时它是一种独特的材料,具备光电、压电等性能。特别地,由于其......
ZnO是直接宽禁带半导体材料（3.37eV）,在室温下具有高的激子束缚能（60meV）,外延生长温度低,抗辐射能力强,在短波发光二极管、半导体激光......
ZnO作为一种宽禁带半导体材料,在紫外光探测器、蓝紫波段LEDs和LDs等领域,有着广阔的应用前景和巨大的市场潜力。ZnO要实现在光电......
