Ⅱ-Ⅵ族相关论文
采用熔体法生长Ⅱ-Ⅵ族碲化物体单晶时,不同的生长条件及热经历过程会导致生长态晶体材料中,占主导的点缺陷类型存在较大的差异,进......
本文报道ＺｎＳｅ基ⅡⅥ族宽带发光材料分子束外延系统的建立、ｐ型掺杂用等离子体活性氮源的研制、两性掺杂的ＺｎＳｅ材料的生长。实验证明国产ＭＢＥ设......
广泛用于３００～５００ｎｍ波长范围低功率辐射探测的硅（Ｓｉ）ＰＩＮ光电二极管现在已有竞争对手。德国维尔兹堡大学物理所的研究人员用Ⅱ－Ⅵ族半导体材料硒化锌镁......
制作一流可靠绿光激光二极管的材料结构又多了一个有价值的竞争者。日本索菲亚大学的研究人员制作出采用BeZnSeTe有源区的Ⅱ-Ⅵ族......
半导体光电子学是当前科技发展最快的一个领域,光电子器件的增长需要加强新材料技术的研究与开发,Ⅲ -Ⅴ族和Ⅱ-Ⅳ族纳米结构生长......
Ⅱ-Ⅵ族材料具有少子寿命对位错不敏感、禁带宽度范围大及成本低等优点,分子束外延(MBE)生长的Si基Ⅱ-Ⅵ族材料可以作为新的材料体......
近年来,一维纳米材料已成为广泛的研究热点.其中,Ⅱ-Ⅵ族掺杂半导体发光材料是一个重要的研究方向.研究者已通过不同的方法合成ZnS......
本文通过Ⅱ－Ⅵ族稀磁半导体超晶格ＺｎＳｅ／Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ的光致发光谱的测量，对其应力效应进行了讨论。样品的组分ｘ＝０．２，０．３，０．４，测量温度为Ｔ＝１１～３００Ｋ。结果表明：由于应力效应，ＺｎＳｅ／Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ超晶格......
自旋电子学是凝聚磁学与微电子学的桥梁,从而将磁器件与微电子器件联系起来,而半导体自旋电子学是在自旋电子学基础上发展起来的一......
1.引言过去已经报导过单晶Se的压电常数或者电机耦合系数大于单晶CdS或别的Ⅱ-Ⅵ族化合物的压电常数或电机耦合系数,真空蒸发的Se......
本文是有关Ⅱ—Ⅵ族半导体化合物Cd_xHg_(1-x)Te的分子束外延法的第一篇报导文章。外延生长是在100℃温度下、在用分子束外延得到......
本文是一篇Ⅱ-Ⅵ族化合物注入式发光的情况报告。对用于注入式发光器件的已知的和潜在的材料作了简要的评论,并对Ⅱ-Ⅵ族化合物与......
第三届国际分子束外延会议于1984年8月1日至3日在美国旧金山召开。这是每两年一次的会议。前两届会议分别在日本和法国召开。下届......
一、引言 近些年来,人们对化合物半导体材料的研究主要集中在Ⅲ-Ⅴ和Ⅱ-Ⅵ族化合物等晶体上。在材料制备、性质及应用等方面都取......
本文评述了金属有机化合物化学汽相淀积(MO-CVD)法的原理、特点及应用。着重讨论了Ⅱ-Ⅵ族材料的MO-CVD法的制备。
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最近,松下电器公司光半导体研究所以有机金属气相外延(MOVPE)法开发Ⅱ-Ⅲ族化合物半导体的超晶格制作技术,以此在Ⅲ-Ⅴ族化合物半......
本研究项目由电子部科技司下达。本工作是国内首次采用自行研制的MOCVD设备在GaAs和CdTe衬底上生长Ⅱ-Ⅵ族化合物——CdTe外延层。......
介绍一种简单易行的制备CdSeⅡ-Ⅵ族薄膜的方法。在不同温度下对薄膜进行了退火,发现随退火温度变化,薄膜由无定形向多晶膜变化,电......
本文就近一、二年以来半导体光电器件制作技术的新工艺、新技术作了较全面的介绍。该文内容包括Ⅲ-Ⅴ族、Ⅱ-Ⅵ族化合物的单晶膜的......
据《OPTRONICS》1992年第11期报道,日本日新电机公司已开发成新型研究用的MBE设备“MiniBEa”。MBE法在133.32×10~(11)Pa的超高真......
我们用分子束外延法已生长出了ZnSe、ZnTe单晶薄层。外延层的生长速率基本上由分子束流量和衬底温度决定。本文讨论了这种二元化合......
本文对用蒸发法制备的非晶和多晶碲镉汞(Hg_(1-x)Cd_xTe)薄膜的结构特性及其光学和电学性质进行了研究。在800—2600nm的波长范围......
在高强度光激发的Ge、GaAs和ZnSe中观察到电子-空穴等离子体.采用远红外磁光吸收和光致发光两种手段研究了等离子体的空间膨胀.将G......
纳米发光材料独特的光电特性使其在应用上有着体相材料不可比拟的优势。纳米微粒的限域效应有可能使材料的量子效率获得提高。但随......
本论文旨在从应用的角度出发，有目的地可控合成具有特定成分、结构以及形貌的准一维II-VI族纳米材料，组装纳米线，研究其物性。
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Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米晶因其量子尺寸效应、颜色尺寸可调、荧光发射峰窄而对称、相对较宽的吸收光谱、光学稳定性好、良好的表面可修......
将加扩展项的轴对称双倒易边界元方法拓展应用于大长径比圆柱型容器中的相变问题，将纯质凝固过程的温度场边界元数值解结果与解析解......
学位
半导体纳米晶体材料(半导体纳晶)，因其特殊的尺寸调制的光、电性能以及诱人的应用前景，得到了广泛的关注和研究。本论文工作涉及Ⅱ-......
该文作者给出Ⅱ-Ⅵ族半导体化合物CdTe,ZnS 和ZnTe(110) 表面以及Sb/GaAs(110)界面的电子结构的理论研究.采用紧束缚方法中Vogl等......
纳米材料形貌和性能的可控成为新阶段研究的主旋律。本文以ZnO和ZnS纳米材料为研究对象，在可控生长、形貌和性能的调控等方面做了比......
学位
本文根据铕掺杂的ZnS讨论了ZnS基质中加入稀土离子的问题。确定了ESR测量时可以观察到的铕中心的对称性,并将从ESR信号中得到的浓......
