化合物半导体相关论文
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电化学电容-电压（ECV）法对测量化合物半导体载流子浓度纵向分布具有重要意义。本文用乙二胺四乙酸二钠（EDTA）电解液对高铝组分AlGaAs化......
研究了 InGaAs外延材料在不同生长温度下的荧光特性.InGaAs的光荧光峰位随生长温度增加向高能方向偏移,荧光半高宽随生长温度的增......
用含Ｚｎ的固态杂质源，在化合物半导体ＧａＡｓ基片上进行了连续波（ＣＷ）１０．６μｍ激光诱导扩散，做出了Ｐ－Ｎ结。分别利用扫描电子显微镜和二次离子质谱仪对扩散样品......
利用１．０６μｍ脉冲Ｎｄ∶ＹＡＧ激光，以含Ｚｎ的固态杂质源在化合物半导体ＧａＡｓ基片上进行诱导扩散，作出了Ｐ－Ｎ结。获得了亚微米的扩散结结深及１０２０ｃｍ－３量级的表面掺杂浓度，并......
奥地利EVG集团在3月17～19日举行的“SEMICON中国2004”博览会上介绍了该公司最新一代EVG~(?)150全自动圆片喷雾涂胶系统。该改进后......
美国伊利诺大学(University of Illinois)实验室开发出一种以金属为蚀刻催化剂的砷化镓晶圆蚀刻法,这种蚀刻方法,其制造速度较传统......
化合物半导体是区别于硅(Si)和锗(Ge)等传统单质的一类半导体材料,主要包括砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)......
日前,沧州市高新区与科光控股有限公司签订合作协议,双方将在高新区建设宽禁带化合物半导体芯片生产基地。科光控股有限公司由加拿......
本栏目刊登近期国家及地方各级政府部门关于高新技术产业(主要是新材料及其相关产业)的政策、指南和报告,各界人士的政策评论,以及......
最近,松下电器公司光半导体研究所以有机金属气相外延(MOVPE)法开发Ⅱ-Ⅲ族化合物半导体的超晶格制作技术,以此在Ⅲ-Ⅴ族化合物半......
从GaAs/电解液界面的电化学研究,提出了一种适合于测定化合物半导体少子扩散长度的光电化学新方法──电化学光伏法,用它成功地测......
介绍了在ＧａＡｓ液相外延过程中，通过改变源溶液的配比及处理方法、外延生长温度、降温速率、石墨舟的结构等工艺条件，制做出厚度均匀、掺杂......
手机进入4GLTE时代,不管是一线的苹果、三星,及二线如小米、华为、宏达电等厂商都推出新机抢市,使得砷化镓功率放大器(Power Ampli......
本论文采用水热法用黄原酸盐配合物M{S2COC4H9}3（C5H5N）2（M=Bi、Sb）和M{S2COC4H9}3(C12H8N2)（M=Bi、Sb）为前驱体首次成功制备得到了棒状B......
氧化锌(ZnO)是一种宽带隙(室温下3.3eV)Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体,激子结合能为60meV,具有六方纤锌矿结构,其空间群为P63mc。晶格常数a ......
CdZnTe(CZT)赝二元化合物半导体材料由于有着较高的平均原子序数和较大的禁带宽度，由此基于CZT材料的核辐射探测器具有较高的探测效......
氧化镉作为一种宽禁带(Eg=2.3eV)直接带隙化合物半导体，对应的波长处于太阳光谱在可见光波段能量最强值510nm附近。CdO以其高载流子......
目前颗粒增强铜基复合材料的研究中增强相主要集中在两类:硬质合金(钢颗粒、钨颗粒等)和金属陶瓷(Al2O3、SiC、TiN、AlN、TiB2、Zr......
β-Zn4Sb3材料是目前中温附近性能最佳的热电转换材料之一。β-Zn4Sb3是化合物半导体,属于六方晶系,R3C空间群,每个晶胞内有66个原......
当今人类社会飞速发展,随之而来的环境污染及能源短缺问题愈发严重,寻找解决这两大问题的有效方法迫在眉睫。半导体光催化技术是一......
碘化汞(α-HgI2)晶体是直接跃迁宽带隙的Ⅱ-Ⅶ族化合物半导体,其原子序数高(Z,g=80,Z1=53),禁带宽度大(300K,2.13eV),体暗电阻率高......
锌(Zn)是一种P型掺杂物质，其气相扩散过程可广泛应用于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体（GaSb、GaAs、GaP、InAs等）的P型掺杂工艺，因此研究Zn在上述......
半导体纳米晶具有明显不同于体相半导体材料的性质，且可以通过适当的条件控制其大小、表面状态以及组成，从而控制其发光等性能。CdSe......
全球性能源危机和化石燃料引起的日益严重的环境污染是人类生存和发展面临的两大问题。光催化产氢将太阳能转换为氢能源,具有环境......
学位
化合物半导体InP中的缺陷特性对材料及器件性能有着极大的影响.氢原子因其小、轻、活性高,可通过钝化缺陷或空位等缺陷形成复合体......
化合物半导体缺陷的正电子寿命谱研究理论物理专业研究生 张伶俐指导教师 邓爱红正电子湮灭技术是一种研究半导体缺陷的有效方法,......
随着人类社会进入信息化社会，信息量飞速增长。为适应生活的需求以及时代的要求，以半导体为代表的材料和器件迅速发展，遍及人类生活的......
以GaAs，InP为主Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料具有很宽的带隙，大都为直接跃迁型能带，光电转换效率较高，以及具有很高的饱和电子漂移速度和迁......
氧化锌(ZnO)是一种宽带隙(室温下3.37eV)Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体，具有优异的光学和电学特性，在透明导电薄膜、表面声波器件、气体传感......
氧化锌(ZnO)是一种宽带隙(室温下3.3eV)Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体,激子结合能为60meV,具有六方纤锌矿结构。晶格常数a=0.3249nm,c=0.520......
采用气态源分子束外延方法及应变补偿生长工艺生长了InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱激光器材料，采用选择刻蚀和聚酰亚胺隔离工艺制......
Ga(In)AsN材料是一种新颖的半导体材料,对其进行适当的n型掺杂后其能带可调,宽度可调范围为0.8-1.4 eV,并且与Ge、GaAs衬底材料晶......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
坐落于北京市经济技术开发区文昌大道8号的北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司(以下简称北方微电子),作为国内领先的......
二CIGS薄膜太阳电池的结构和原理CIGS薄膜太阳电池是一种异质结型化合物半导体多晶薄膜太阳电池.CIGS材料的导电原理有其本身的特......
以Ga、金属Al颗粒或AlCl3·6H2O粉末及NH3为原料,利用化学气相沉积法生长AlxGa1-xN纳米线.研究发现,气体的流速、基底有无催化剂、......
随着晶体管尺寸的持续缩小，不断增加的晶体管密度与工作频率造成集成电路散热量急剧增大，互连寄生效应成为影响芯片功耗与速度的关键......
