Ⅱ-Ⅵ族化合物相关论文
以新型红外探测材料Hg_(1-x)Zn_xTe、Hg_(1-x)Mn_xTe及外延衬底材料CdTe及Cd_(1-x)Zn_xTe为代表分析了Ⅱ-Ⅵ族化合物光电子材料的......
我们用分子束外延法已生长出了ZnSe、ZnTe单晶薄层。外延层的生长速率基本上由分子束流量和衬底温度决定。本文讨论了这种二元化合......
采用低汽压的B—氏方法生长CdTeSe，比国外高压LEC和高压B—氏法具有工艺简单，成本低的特点，已生长了X从0．005至0．15的若干只晶体，表面光......
碲镉汞晶体材料正经历着一个迅速发展的时期。目前这种研究正从企业、国防部门向科研单位转移，正集中于研究材料的光学效应、电磁效......
II-VI族半导体材料,如ZnO、ZnSe、CdS、ZnTe等,它们均为直接带隙半导体,禁带宽度覆盖紫外光到可见光区域,在光电探测、光伏以及发......
本论文在水相制备CdTe纳米晶的基础上，对CdTe纳米晶进行后处理，研究了光、吡啶等对CdTe纳米晶的荧光性能的影响。得到了如下研究结果......
随着量子力学理论和计算技术的发展以及计算机性能的飞速提高，运用计算机模拟对材料结构和特性的研究广泛地开展起来。而原子问的相......
要进行计算机模拟关键性的一步就是原子间相互作用势的选取，原子间的相互作用势决定了体系的微观结构和物理、化学性质，是所有有关原......
本文采用基于第一性原理的Hartree-Fork（HF）方法和密度泛函理论（DFT）计算了CdS、CdSe、CdTe、HgTe等Ⅱ-Ⅵ族化合物的两体相互作用势,并......
在NiE（E=S，Se）纳米粒子辅助下，采用CVD方法，在NiE（E=S，Se）-Zn系统中成功生长出立方闪锌矿结构一维ZnE（E=S,Se）纳米线。生长的ZnSe和ZnS纳米线......
由中国物理学会发光分会主办,郑州大学与中国科学院长春光学精密机械与物理研究所承办的第19届Ⅱ-Ⅵ族化合物及相关材料国际学术会......
CdS films were prepared with chemical pyrolysis deposition (CPD) at 450℃ during film growth, and these CdS films were a......
采用化学气相沉积的方法,以Zn粉末为原料,CuSe纳米粒子为催化剂,在Si衬底上成功制备了毫米级ZnSe纳米线。用X射线衍射、EDS和SEM对......
本文用 Van der pauw 法在77～300k 的温度范围内测试了 CdTe∶Al 材料的霍尔电学特性。实验测得 Al 杂质施主能级为0.010eV,最大霍......
金属有机化学汽相淀积(MOCVD)通常被认为是一个非平衡过程。然而在生长速度的扩散控制区,可以假定在汽-固界面存在平衡。本文用平......
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我们用分子束外延法已生长出了ZnSe、ZnTe单晶薄层。外延层的生长速率基本上由分子束流量和衬底温度决定。本文讨论了这种二元化合......
随着量子力学理论和计算技术的发展以及计算机性能的飞速提高,运用计算机模拟对材料结构和特性的研究广泛地开展起来。而原子间的......
Ⅱ-Ⅵ族材料ZnSe、CdSe、ZnTe、CdTe等具有禁带宽度大,少子寿命对位错不敏感等优点,可以作为一种新的材料体系应用于叠层太阳能电......
采用基于密度泛函理论和Hartree-Fork的第一性原理方法,计算了CdS、CdSe、CdTe、HgTe等Ⅱ-Ⅵ族化合物中原子间的两体及三体相互作......
根据CdZnTe等Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体晶体生长的基本原理和工艺要求,设计制造了坩埚加速旋转-垂直下降法(ACRT-VBM)晶体生长系统.本文......
本文通过将新型化学气相反应促进剂Zn（NH4）3Cl5引入到热壁外延系统中,以二元素单质Zn和Se为原料,直接在Si（111）衬底上生长了高质量的Zn......
本文采用开放体系对两单质加反应促进剂I2合成的ZnSe多晶原料进行了提纯。以高纯氩气为保护气体,提纯温度分别为500℃、550℃和800......
本文主要阐述了典型的Ⅱ-Ⅵ族化合物CdSe薄膜的研究现状。利用电化学沉积法、化学水浴沉积法、热蒸发沉积法等不同的薄膜制备工艺......
介绍了以光电应用为背景的大尺寸ZnTe单晶生长技术的研究进展，综述了大尺寸ZnTe单晶不同生长技术的特点及其对单晶性能的影响，重点分......
