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两步快速热处理相关论文
用于亚0.1μmCMOS器件技术中的镍硅化物研究
随着CMOS集成电路制造技术持续向亚0.1μm工艺推进,与之相应的自对准硅化物(SALICIDE)材料和工艺也在不断发展创新。由于窄线条效应......
学位
NiSi
镍硅化物
固相反应
单步快速热处理
两步快速热处理
杂质再分布
Kirkendall效应
反应动力学
反应激活能
肖特基势垒分布不均匀性
面接触特性
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