杂质再分布相关论文
随着CMOS集成电路制造技术持续向亚0.1μm工艺推进,与之相应的自对准硅化物（SALICIDE）材料和工艺也在不断发展创新。由于窄线条效应......
本文报道了利用XRD、RBS、SPR、AES、SEM、TEM和Kelvin电阻桥法(CBKR)等测量技术系统地研究了硅化钛/硅,硅化钴/硅欧姆接触特性。......
