NiSi相关论文
研究了NiSi金属栅的各种电学特性及其热稳定性,提出一个物理模型用于解释当形成温度大于500℃时NiSi功函数随退火温度升高而增大的......
研究了Ni/Pd双层薄膜在硅衬底上的硅化物形成过程.结果表明,加入Pd层后,退火形成Ni1-xPdxSi固熔体,该固熔体比NiSi的热稳定性好,使......
利用在线应力测试技术表征了掺入Pt后对镍硅化物薄膜应力性质的影响.通过改变NiSi薄膜中Pt含量以及控制热处理的升温、降温速率实......
随着MOSFET器件的特征尺寸进入亚100nm，传统自对准硅化物材料，如TiSi2和Co—Si2，由于其硅化物形成工艺的高硅耗、高形成热预算和线宽......
提出了“自上而下”制作硅化镍纳米线的方法，研究了制备出的纳米结构的形成过程及微观形貌。这种金属硅化物纳米线的制作方法对于集......
以Ni-42Mo-28Si和Ni-36Mo-24Si(质量分数计)合金粉末为原料,利用激光熔敷技术在1Cr18Ni9Ti不锈钢基材表面制得由三元金属硅化物Mo2......
在多种Si衬底上利用离子束溅射淀积超薄Ni膜以及Ni/Ti双层膜,经过快速热退火处理完成薄膜的固相硅化反应,通过四探针法、微区喇曼......
乳酸菌(Lactic acid bacteria)是人们公认的食品级微生物。其被广泛应用于食品生产、医学工程、家畜养殖和发酵产业等。微生物制剂......
乳酸链球菌素(nisin)是在乳酸乳球菌发酵过程中产生的一种天然抑菌剂和防腐剂,被广泛的应用在医疗、食品保护等行业中。Nisin的抑......
自对准硅化物通常用于降低多晶硅栅的薄层电阻（Rs）和硅源／漏（S／D）区域的接触电阻。对于90nm以下的器件，S／D区域还要求是重掺杂的超浅结．以抑......
在pn结形成之后借助非晶化Si离子注入技术可以将结表面Si单晶层非晶化.作者研究了这种非晶化处理对Ni硅化反应的影响.实验发现,非......
采用不同硅化工艺制备了NiSi薄膜并用剖而透射电镜（XTEM）对样品的NiSi／Si界面进行了研究．在未掺杂和掺杂（包括As和B）的硅衬底上通过物理......
乳链菌肽(nisin)又称乳酸链球菌素,是乳酸乳球菌乳酸亚种某些菌株产生的抗菌肽。Nisin对革兰氏阳性菌具有抗菌作用,可抑制一些能够......
随着集成电路器件尺寸的持续缩小,与Si超低接触电阻率的要求以及新型源漏结构器件的出现,迫切需要降低金属硅化物的接触势垒。因此......
随着CMOS集成电路制造技术持续向亚0.1μm工艺推进,与之相应的自对准硅化物（SALICIDE）材料和工艺也在不断发展创新。由于窄线条效应......
乳链菌肽(Nisin)又称乳链菌肽或乳酸链球菌素,是由乳酸乳球菌乳酸亚种(Lactococcus lactis ssp.lactis)产生的一种具有抑菌作用的......
为了满足尺寸不断缩小的金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)技术的需求,需要在低温条件下实现肖特基势垒高度的调节,利用杂质分凝技术......
集成电路器件特征尺寸急剧缩小对源漏材料与衬底的接触势垒提出了新的挑战。各种新型的低势垒材料和新型硅化物制备方式不断涌现。......
随着CMOS集成电路制造技术持续向纳米级工艺推进,与之相应的自对准硅化物(SALICIDE)材料和工艺也在不断的发展创新。最新的研究表......
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