主刻蚀相关硕士博士期刊学术论文 - 搜论网

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本论文开发并优化了0.18微米技术侧壁（Spacer）的干法刻蚀工艺,通过利用公司现有设备,改进原工艺不足,开发出满足产品要求的刻蚀工艺......

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干法刻蚀侧壁(Spacer) 刻蚀速率选择比背面氦气刻蚀速率均匀性主刻蚀过刻蚀

氮化钽金属薄膜干法刻蚀的研究

氮化钽薄膜在微电子工艺中的应用比较广泛：在标准CMOS后道的铜互连技术中,作为阻挡层被应用；由于氮化钽与高K介质的良好兼容性,在45n......

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氮化钽干法刻蚀刻蚀选择比主刻蚀过刻蚀去胶残留

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