去胶相关论文
TiNi形状记忆薄膜光刻工艺是此类MEMS器件制作的关键技术之一。研究了剥离工艺(lift|off)用于TiNi薄膜图形化的可行性，并首次利用溅......
提出了一种解决SU 8 去胶难题的方法.该方法首先将SU- 8 微结构用PDMS进行复制,然后利用复制的PDMS微结构进行下一步的电铸,电铸完......
提出一种利用基于数字微反射镜装置（DMD）的数字光刻系统制作掩模版的方法。通过制图软件制作出二元光栅、菲涅耳波带片等衍射光学元......
水黄皮PongamiapinnataMerr．盛产于印度。其子实含有丰富的油料（35％），但从未开发以供人用。已知其中含有2种有毒物质Pongamol和karanjih......
SU-8光刻胶因具有良好的机械耐久性、聚合物水密性、介电性能、生物兼容性和抗化学腐蚀性而被广泛用于MEMS器件、生物医学和芯片封......
申请公布号：CN105584689A 申请公布日：2016.05.18 申请人：富泰华工业（深圳）有限公司；鸿海精密工业股份有限公司 地址：518109广东......
碳纤维表面化学镀镍前处理的目的是获得适合于化学镀的洁净催化过渡表面，是获得良好镀层的必要条件。重点研究了碳纤维表面化学镀镍......
采用氢氧化钾乙醇溶液对刻蚀后光刻胶进行了清洗,结果表明,氢氧化钾乙醇溶液能够很好的去除掉刻蚀后的光刻胶,满足生产要求。......
本文首先简单介绍了半导体芯片的加工流程,然后给出了压焊点晶体缺陷的概念和影响。压焊点晶体缺陷来源于晶片的加工阶段,影响到后......
采用UV-LIGA技术制作了超高金属微细阵列电极，并利用电解置桩的方法辅助去除SU-8胶。通过单次涂胶和提高前烘温度、降低后烘温度的......
氮化钽薄膜在微电子工艺中的应用比较广泛：在标准CMOS后道的铜互连技术中,作为阻挡层被应用；由于氮化钽与高K介质的良好兼容性,在45n......
针对芯片制造商对设备低投入高产出的要求，介绍了能将多种工艺集成在一起的工作台SAT（喷酸系统）与SST（喷雾溶剂系统），详细介绍了其工作原......
