二维空穴气相关论文
当固体的一个或多个维度降低时,就产生了低维结构,或低维系统,材料的表面和界面、石墨烯等二维材料及纳米带都属于低维系统;由于维......
硅基光电子集成和半导体量子计算是两大前沿研究领域。硅基光源的实现是硅基光电子集成的核心课题。将直接带隙的III-V族发光材料......
金刚石材料是超宽禁带半导体材料的代表之一,在高频高功率电子器件等领域有着广阔的应用前景。然而,金刚石材料掺杂难,目前的金刚......
对Ga面p型GaN/Al0·35Ga0·65N/GaN应变异质结构中形成的二维空穴气(2DHG)进行了研究.首先基于半导体-绝缘体-半导体异质结构模型......
通过调整GaN基发光二极管(LED)表面InGaN层的厚度,发现在20 mA电流驱动下,LED器件的正向压降有明显差距.本文考虑了极化效应的影响......
提出了一种新颖的GaAs基p沟异质结场效应管(pHFET)概念,器件采用了In0.5Ga0.5P/GaAs异质系统及二维空穴气(2DHG)原理以改善GaAs的......
氮化镓半导体P型材料掺杂杂困难导致难以制备理想低阻抗P型材料,LED P区特性对其发光效率影响甚大,本研究藉由改善器件P区特性改善......
报道了p-GaN／Al0.35Ga0.65N／GaN应变量子阱结构的肖特基紫外探测器的制备及性能．器件的测试结果表明，在p-GaN／Al0.35Ga0.65N／GaN双异质结......
提出一种p型半导体量子阱中二维空穴气的有效计算方法.它使用半轴向近似把Luttinger哈密顿简约成3*3矩阵,而仍保留价带的扭曲性和......
