亚阈值电流相关论文
随着工艺技术的不断进步和电路集成度的不断提高，CMOS电路的静态漏电功耗已经开始成为纳米级设计领域所面临的最严峻的挑战之一。而......
碳化硅具有优越的材料性能，在高温、高频、大功率器件和集成电路制造领域有广阔的应用前景，是近年来国际半导体领域研究的热点之一。......
研究了基于90nm CMOS工艺的nMOSFET中正负衬底偏压VB对衬底电流IB的影响。衬底电流IB在0V...
利用X射线对一种N沟VDMOS在不同的负载功率下进行了辐射试验,采用电流-电压(I-V)测试方法发现这种H2-O2(氢氧合成)氧化栅介质VDMOS......
随着工艺的发展,器件阈值电压的降低,导致静态功耗呈指数形式增长.进入深亚微米工艺后,静态功耗开始和动态功耗相抗衡,已成为低功......
为了解决存储单元的亚阚值泄漏电流问题，分析了在深亚微米下静态随机存储器（SRAM）6-T存储单元静态功耗产生的原因，提出了一种可以有效......
文章提出将亚阈值区超浅结MOSFET的氧化层和Si衬底划分为三个区域,得到三个区域的定解问题,并用特征函数展开法求出了因边界衔接条......
基于泊松方程和边界条件,推导了对称三材料双栅应变硅金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET:metal oxide semiconductor field eff......
文章对薄膜双栅MOSFET器件的温度特性进行了研究。首先对其进行理论分析，得到亚阈值电流、阈值电压和饱和电流等随温度的变化关系，并......
随着器件工艺的更新。亚阈值电流对MOSFET的亚阔值特性的影响越来越大，但是目前的计算均是基于一维或者准二雏电势模型，计算量小但是......
提出一种新型超低漏电ESD电源钳位电路。该电路采用具有反馈回路的ESD瞬态检测电路，能够减小MOS电容栅极—衬底之间电压差，降低电路......
本文基于亚阈值电流和表面势模型的基础上,采用商用器件模拟软件,建立了短沟道n-MOSFET的结构和物理模型,对器件的亚阈值电流进行......
在沟道源端一侧引入高掺杂Halo结构的异质栅SOI MOSFET,可以有效降低亚阈值电流.通过求解二维泊松方程,为该器件建立了亚阈值条件......
本文从工艺技术、单元结构、单元阵列及电路设计方面讨论了吉位规模DRAM的发展和面临的挑战 ;并展望了嵌入式DRAM的发展
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薄膜双栅MOSFET是一种新型的高速度、低功耗MOSFET。与普通MOSFET相比,该器件具有很多优越的特性,如较高的跨导、优良的亚阈值斜率......
随着工艺技术的不断进步和电路集成度的不断提高,CMOS电路的静态漏电功耗已经开始成为纳米级设计领域所面临的最严峻的挑战之一。......
