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采用涂层铝扩散基区工艺的低频大功率管集电结反向击穿特性,容易出现负阻现象.对发生负阻击穿时的芯片作表面观察,看到了与发射结......
本文主要介绍了为防止半导体器件静电损伤,在设计上所采取的几种保护电路,以及在制造、测试、试验、传递、包装、运输、使用等各个......
开关电源工作在高电压下,较大功率的开关电源同时也工作在大电流状态下,并且受到浪涌电流和高压脉冲的威胁,加之开关电源电路复杂,......
采用故障树分析的方法对发动机燃油电磁阀在使用中发生故障的原因进行分析。首先以电磁阀不工作的故障作为分析目标,通过由上向下......
为改善高压功率VDMOS击穿电压和导通电阻之间的平方率关系,采用超结理论及其分析方法,结合电荷平衡理论,计算了超结VDMOS的理想结......
期刊
碳化硅半导体材料作为第三代具有宽禁带的半导体材料,其在禁带宽度、击穿电场强度、载流子饱和漂移速率、热导率、功率密度等方面......
在集成电路中,稳压二极管的器件结构和工艺方法有很多种,它们的器件特性、工艺特征、工艺控制方法各不相同。文章对各种集成稳压二......
近年来,GaN基高电子迁移率晶体管(GaN基HEMT)以其优异特性,在大功率、高温、高频、抗辐照等应用领域中备受人们关注。而场板技术的......
