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亚0.1μm代相关论文

优化了栅电极溅射工艺的难熔金属栅 MOS电容的性能(英文)

论述了通过优化难熔金属栅电极的溅射工艺及采用适当的退火温度修复损伤来提高 3nm栅氧 W/ Ti N叠层栅 MOS电容的性能 .实验选取了......

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溅射工艺金属栅 MOS 难熔表面态密度栅介质亚0.1μm代栅电极硅栅 sputtering

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