溅射工艺相关论文
随着5G通信的普及和移动通信技术的不断进步，薄膜体声波谐振器（FBAR）也逐渐向高频、大带宽的方向发展。基于6英寸（1英寸=2.54 cm）微电子......
高硼硅玻璃是指B2O3含量大于10%、Si O2含量大于78%的硼硅酸盐玻璃,最早在1915年由美国康宁公司研发制备而成,并且获得了相关专利......
日本罗姆公司与立命馆大学一个合作小组声称,其垂直结构GaN MOSFET可达到比SiC相同器件还要好的性能。该研究小组所研制出的上述晶......
Mg_2Ge半导体材料是一种新型环保材料,Mg_2Ge材料具有高的塞贝克系数、高电导率和低热导率等特点,是高性能的中高温热电材料,作为......
本文对溅射法制作CrSi薄膜电阻工艺技术进行了研究。文章介绍了使用直流磁控反应溅射工艺攻克该难题的方法,即通过对影响电阻结构......
本文运用射频和直流磁控溅射的方法,分别在Si基片和柔性聚偏二氟乙烯(PVDF)基片上制备金属Cu薄膜,在不同的溅射工艺参数下,制备Cu/......
六角钡铁氧体BaFe_(12)O_(19) (BaM)由于具有大的单轴各向异性、大的电阻率及高的磁导率而被广泛应用于如环形器等微波器件中。为......
ZnO-TCO薄膜作为一种新型直带隙宽禁带(3.37e V)半导体材料,因其原料丰富、廉价、环保且性能稳定有望取代ITO和FTO应用于太阳能电......
PZT(锆钛酸铅)系压电陶瓷由于其具有良好的压电特性、高的温度稳定性、较大的机电耦合系数,可制作压电振子、压电换能器、传感器和......
研究用溅射法制作CrSi电阻中，工艺技术与工艺参数间的相互关系，给出了高方阻，低温度系数CrSi薄膜电阻制备的方法，及其工艺条件的确定。......
本文结合X荧光光谱讨论半导体材料镍欧姆接触电极的溅射工艺，形成的工艺流程短、效率高，方便获得更好的欧姆接触。......
本文介绍了磁控溅射镀膜工艺、磁控溅射设备、非反应溅射与反应溅射:反应溅射是一个非常复杂的过程。重点对反应溅射中的“直流氧......
采用射频溅射法以3Crl3马氏体不锈钢为基片制备了硫化钨薄膜。通过物相分析和表面形貌观察，以及测定微区化学成分、结合力和摩擦因......
钼薄膜作为电极和布线材料在太阳能电池和薄膜晶体管的制造中具有重要应用价值。磁控溅射作为一种制备钼薄膜的主要手段,其溅射工......
Transparent conducting oxides CdIn2O4 thin films were prepared by radio-frequency reactive sputtering from a Cd-In alloy......
论述了通过优化难熔金属栅电极的溅射工艺及采用适当的退火温度修复损伤来提高3nm栅氧W／TiN叠层栅MOS电容的性能。实验选取了合适的......
SnO2是最早使用也是目前使用最广泛的一种气敏材料,使用该材料设计制作的气敏传感器具有许多优点.在简要介绍溅射镀膜的成膜过程和......
以非制冷微测辐射热计型红外探测器应用为需求背景,采用射频磁控溅射技术在300℃低温条件下制备了氧化钒薄膜。采用X射线衍射（XRD）、......
对溅射原理进行了详细的分析,对溅射设备的结构组成进行了概括性的说明。研究了溅射腔室的传统工艺处理流程,并提出了新的工艺处理......
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用离子束溅射工艺在石英、LY12和卫星蒙皮材料上制备了不同厚度和发射率的SiO2薄膜,研究了厚度对薄膜光学、热学性能的影响规律.用......
以非制冷微测辐射热计型红外探测器应用为需求背景,采用射频磁控溅射技术在300℃低温条件下制备了氧化钒薄膜。采用X射线衍射(XRD)......
介绍了１３５ＴＰＩ、ＭＩＧ软盘头头研制过程中解决Ｐｓｅｕｄｏ现象的最佳工艺选择，其主要工艺是围绕解决金属膜的材料选择、制作方法，及磁心制作过程和磁头制作过......
采用磁控溅射技术制备了优良的NiCr系深蓝色太阳光谱选择性吸收薄膜,测试了样品的太阳吸收比和热发射比,αs=0.90～0.94,ε=0.08～0.16......
为提高铝合金表面硬质涂层质量,对7A04铝合金固溶处理后两种不同时效工艺进行对比,确定了适合磁控溅射方法制备硬质膜的热处理工艺......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
采用射频磁控溅射法在Si（100）衬底上沉积了Ba0．65Sr0．35TiO3薄膜。借助XRD、AFM和SEM研究了衬底温度、退火温度、溅射气压等不同的溅射......
采用射频磁控溅射法在玻璃基片上成功制得了GdTbFeCo非晶垂直磁化膜，研究了溅射工艺对GdTbFeCo薄膜磁光性能的影响。测量结果表明，基......
本文阐述了r.f.溅射工艺参数,如:真空室压力、r.f.溅射功率、衬底温度和沉积速率对ZnO薄膜的晶粒大小及结构的影响,并给出了研究结......
本文研究了采用射频溅射法以3Cr13马氏体不锈钢为基片制备硫化钨薄膜。实验分别采用了不同的溅射功率、工作气压和沉积时间来制备......
实验研究了磁控溅射工艺的溅射功率及溅射时间对纳米金属Ti膜的厚度影响,并对薄膜形貌作了简单探讨。结果表明,在其它工艺参数恒定......
薄膜制备技术广泛应用于工业、医疗、生物、军事等各个领域,在特殊环境下工作的器件常常需要在其表面制备一层薄膜来满足应用需求......
