栅电极相关论文
近年来，随着互联网流量的快速增长和新应用的陆续出现，对于增加光纤的传输容量的需求十分迫切。模分复用技术是当前认为可以提高光纤......
在二元光学理论的基础上,结合波动光学理论和液晶指向矢的计算提出一种新的二元光学液晶闪耀光栅设计。对液晶光栅电极施加阶梯分......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
在被称作“40年来电脑芯片的最大变化”的新闻发布中,Intel宣布将在45nm节点的生产中引入铪基(hafnium-based)高k栅电介质和金属栅......
4.3 半导体键合技术(SBT)制备的四～五结叠层聚光电池rn2014年9月,德国Fraunhofer太阳能系统研究所等单位报道,他们采用SBT研制的四......
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纳米技术的一个迷人特性是它可使硅半导体以外的芯片获得发展.纳米电子学将实现纽约州立大学Albany研究组的研究人员所演示的那种......
期刊
从传输线电压与电流方程出发,对显示阵列的2T1C型驱动电路,建立了等效电路模型。在综合考虑栅信号传输电路中多种参数的基础上,求......
论述了通过优化难熔金属栅电极的溅射工艺及采用适当的退火温度修复损伤来提高3nm栅氧W／TiN叠层栅MOS电容的性能。实验选取了合适的......
尽管有迹象表明传统的测量设备已经达到了能力的极限,但是全新设计并具有更为复杂的计算模型的新一代测量技术将继续为包括工艺监......
III-V族化合物半导体太阳电池具有光吸收系数高、抗辐射性能强、耐高温性能强、稳定性高、使用寿命长以及光电转换效率高等优点,在......
学位
横线Mura是一种在TFT-LCD生产过程中产生的不良,对于画面品质有较大的影响。文中对横线Mura发生的原因进行分析,通过对金属膜层的......
ＴＦＴ—ＬＣＤ的基本结构和ＴＦＴ制造技术１引言随着信息社会的高度发展，用于人─—机联系的显示越来越重要了。由于计算机趋向于小型化，因此，与计算机连......
随着集成电路的飞速发展,SiO2作为传统的栅介质将不能满足MOSFET器件高集成度的要求,需要一种新型High-k材料来代替传统SiO2。由于......
<正> 一般的 MOSFET 工艺是用厚氧化物作为扩散掩蔽,因而需要光刻和重复对准步骤以确定短沟道区上的栅氧化物及栅电极。自对准 MOS......
对于使用双金属栅结构的 CMOS器件而言,是否能够成功的将这项工艺进行集成整合取决于工程师们对硬掩膜技术以及化学湿法刻蚀试剂的......
对聚光型太阳电池表面栅极图形进行优化设计。对组成太阳电池表面栅电极的图形最小单元的各种功率损失进行了详细分析，得到了最佳栅......
