硅栅相关论文
自对准硅化物通常用于降低多晶硅栅的薄层电阻(Rs)和硅源/漏(S/D)区域的接触电阻。对于90nm以下的器件,S/D区域还要求是重掺杂的超......
随着金属氧化物半导体场效应管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistors,MOSFETs)等比缩小迈向45nm技术节点,金属栅......
IGBT器件具有输入阻抗高和导通压降低的优点,在大功率电力电子领域具有广泛的应用,但IGBT器件的栅极漏电问题严重影响产品的成品率......
针对大面阵CCD成像黑缺陷多的特点,从机理和制作工艺上进行了分析研究。结果表明,CCD成像黑缺陷主要由光刻工艺缺陷引起。光刻LOCO......
CCD多晶硅交叠区域绝缘介质对成品率和器件可靠性具有重要的影响。采用扫描电子显微镜和电学测试系统研究了CCD栅介质工艺对多晶硅......
1.难熔金属硅化物的特性集成电路发展过程中,随着集成度的不断提高,布线宽度越来越窄,以致连线电阻的增加影响了电路延迟时间。超......
本文详细地叙述了用 Si2N4/SiO2作栅介质的 P 沟硅栅器件的工艺。这个特殊工艺的许多引人注目的特点包括多晶硅和硅的接触.用玻璃......
期刊
本文介绍了一种采用硅各向异性腐蚀制作互补器件的新工艺。各向异性腐蚀是在(100)晶向片子上进行的,对应于整个器件的大面积腐蚀深......
帝、修、反、今天已处于全世界革命人民的包围之中,行将灭亡。但是,它们并不甘心失败,还要做垂死挣扎。疯狂地扩军备战,大力发展......
本文报导了异质结类 MIS FET,该器件中用 n~+-GaAs 层作为栅,非掺杂的 GaAlAs 层作为绝缘层,非掺杂的 GaAs 作为半导体。这种器件......
本文介绍了在研制16位微处理机Z8000CPU电路中,采用工艺模拟与实测相结合的方法,研究E/D MOS阈值电压与硼、砷注入能量和剂量间的......
本文论述了用于固态传感制备的〈100〉和〈110〉晶向硅片各向异性腐蚀的特点和机理;对掩模图形边缘取向和(100)硅矩形台而凸角处的......
提出并演示了一新型的低成本亚50纳米多晶硅栅制作技术.该技术的特点是它与光刻分辨率无关,即不需要高分辨率光刻技术.纳米尺度的......
进入90 nm工艺节点以后,在等离子体干法刻蚀工艺中出现了越来越多需要解决的技术性问题,带有图形的晶片(相对于白片而言)上的膜层......
在最先进的器件里,为了提高晶体管性能,在工艺上几乎是年年都在消减栅极绝缘层厚度.另一方面,作为晶体管的栅极,在过去的30多年里......
利用二次离子质谱仪对多晶硅/氧化硅界面进行分析,发现多晶硅/氧化硅界面不是突变的,而存在着一个过渡区;根据多晶硅薄膜的成核理......
一、引言CMOS电路是将P沟道及N沟道两个极性相反的MOS管做在一块电路中,称为互补MOS电路,它不仅速度高,且静态功耗极低,因为在它......
文本采用SIMS技术,分析了BF2+注入多晶硅栅退火前后F原子在多晶硅和SiO2中的迁移特性。结果表明,80keV,2×1015和5×1015cm-2 BF2+......
